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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) 설계 및 실험2025.05.141. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 부하저항 값을 변경하여 특성 곡선을 비교 분석하였고, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 변화도 확인하였습니다. 출력 전압이 일정 전압 이상에서 더 이상 변하지 않는 이유를 설명하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 피드백 저항 값을...2025.05.14
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서92025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 실습 4.1(A), (B)에서 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력저항을 1㏀로, 부하저항을 1㏀ 저항으로 제작하여 입력전압을 0V부터 6V까지 1V씩 증가시키며 출력전압을 측정한 후, 입력저항 10㏀, 부하저항 100Ω으로 교체하여 같은 방식으로 입력전압을 증가시키며 출력전압을 측정하고 두 측정값을 비교해 보았다. 두 실습의 출력전압을 비교해본 결과, 입력저항과 부하저항을 바꾸었을 때 gain과 출력전압의 차이가 아주 작았다. 이것을 통해, 식 × 에서 알 수 있듯...2025.01.12
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 이 보고서는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있으며, 등가 부하를 고려하여 설계 목표를 만족하는 분압기 회로를 제시하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 합니다. 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하여 다양한 전자 ...2025.04.25
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
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전자회로설계실습 6번 예비보고서2025.01.201. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 설계 이 문서에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifi...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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