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전자회로설계실습 6번 예비보고서2025.01.201. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 설계 이 문서에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifi...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.011. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였습니다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse (duty=50%)입니다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 회로를 설계하였으며, 이때 beta_force=10, VCE(sat)=0.2[mV], VBE(sat)=0.8[mV]로 설정하였습니다. LED에 흐르는 전류 IF=20[mA]=IE이며, IB=1.818[mA], IC=18.18[mA]로 계산되었...2025.05.01
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Offset Voltage OP-Amp의 입력단자를 접지시키면 이상적인 경우 출력전압은 0V가 되어야 하지만, 실제 OP-Amp에는 Offset Voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아니다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 Open Loop Gain을 이용하는 것이 부정확하므로, 실제 회로를 구성하여 출력전압을 측정하고 이를 이용하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 사용한다. Offset Voltage 데이터시트에는 최소값이 없는 이유는 Offset Voltage가 작을수록 좋기 때문이며, 일...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서62025.01.121. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로설계실습 결과보고서설계실습 6에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 과정에서 이론값과 측정값의 오차가 발생하였는데, 그 원인으로는 가변저항의 값이 이론값과 달랐고, 측정 단위가 작아 측정값의 영향을 많이 받았으며, 측정 장비의 오차가 수식을 통한 계산에 증폭되었기 때문으로 분석되었습니다. 전반적으로는 만족스러운 실험이었지만, 일부 측정값에서 큰 오차가 발생하였기 때문에 개선이 필요한 것으로 보입니다. 다음 실험에서는 가변...2025.01.12
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(경북대) 전자회로설계 팀프로젝트2025.01.291. 전자회로 설계 이 프레젠테이션은 전자회로 설계 프로젝트에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 전압 분배 회로 설계, OP 앰프 특성 및 한계, 전류 부스터 회로 설계 등이 포함되어 있습니다. 회로 설계 시 소자 수 최소화, 전력 소모 최소화 등의 고려사항을 바탕으로 최적의 회로를 구현하고자 하는 것으로 보입니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율성, 안전성 등을 고려해야 합니다. 이를 위해 회로 이론...2025.01.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.04.301. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계실습 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. 이를 위해 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험합니다. Series-Shunt 피드백 증폭기는 입력이 전압이고 출력도 전압인 구조이며, 입력 저항, 부하 저항, 전원 전압 변화에도 gain을 일정하게 유지할 수 있어 voltage regulator로 활용할 수 있습니다. 2. Series-Seri...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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