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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 7주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기 이번 실험에서는 BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인하였습니다. A급 증폭기는 트랜지스터가 360도 동안 순방향 바이어스되어 전류가 흐르는 증폭기 방식입니다. 실험을 통해 A급 증폭기의 입출력 특성을 확인할 수 있었습니다. 2. 푸시풀 전력 증폭기 푸시풀 증폭기는 npn과 pnp BJT를 이용한 두 개의 에미터 팔로어가 결합된 증폭기입니다. 입력 신호의 범위에 따라 npn 또는 pnp가 턴온되어 gain이 1에 가까운 팔로잉 동작을 하게 됩니다. 실험을 통해 푸시풀 증폭기...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서72025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실험은 이전 설계실습을 보완하기 위해 ∈ 을 연결한 2차 설계 common emitter amplifier의 주파수 특성과 주파수에 따른 overall gain에 대해 알아보았다. 2차 설계 common emitter amplifier의 Base, Emitter의 Voltage의 오차율 약 1% 미만으로 작은 오차율을 보였지만, base current는 19.95%의 오차율을 보였다. 이는 BJT의 non-linear 특성으로 인한 결과라고 예상한다. 특히 m a...2025.01.12
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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