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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_결과레포트2025.01.121. Common Source Amplifier 실험 1을 통해 Common Source Amplifier 회로의 Gain과 함께 gm을 구하고, 실험 2에서 실험 1에서 구한 gm으로 Gain의 이론값과 실험에서 측정한 값을 비교해 보았다. 실험 1에서 측정한 Parameter를 이용해 실험 2의 Gain을 계산해 본 결과, 이론값과 실험값이 약 36%의 오차율을 보였다. 오차가 발생한 이유로는 입력 전압 Vin의 크기가 작아 오실로스코프에 정확한 값으로 나타나지 않았을 경우를 생각할 수 있다. 2. Common Source Am...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기의 이론적 해석 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석으로는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 있다. 2. 2단 증폭기 실험 결과 2단 증폭기 실험에서는 각 MOSFET의 전압과 전류를 측정하고, 포화 영역에서 동작하는지 확인했다. 또한 소신호 등가회로를 이용해 이론적인 전압 이득을 계산하고, 실험 결과와 비교...2025.01.29
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