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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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MOSFET 예비보고서2025.01.051. MOSFET 벅 초퍼 MOSFET 벅 초퍼는 직류 전압과 전류의 크기를 변환할 수 있는 회로이다. MOSFET이 스위칭 온될 때 직류 전원 전압이 부하에 공급되고, MOSFET이 오프될 때 다이오드를 통해 전류가 흐른다. 출력 전압은 입력 전압과 MOSFET의 온 시간에 비례한다. 스위칭 제어 신호의 주파수를 변경하면 전류 리플은 감소하지만 출력 전압과 전류에는 큰 영향을 미치지 않는다. MOSFET 벅 초퍼의 전력 효율은 90% 이상이다. 2. MOSFET 부스터 초퍼 MOSFET 부스터 초퍼는 직류 전압을 높은 전압으로 변...2025.01.05
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MOSFET 결과보고서2025.01.051. 모스펫 벅 초퍼 모스펫 벅 초퍼의 동작을 이해하고 시동시켜보았습니다. 실험 결과 듀티 사이클에 따른 출력전압 변화, 스위칭 제어신호 주파수의 효과, 출력전력 대 입력전력을 측정하였습니다. 벅 초퍼의 출력전압은 듀티 사이클에 비례하여 증가하며, 주파수 변화에는 영향을 받지 않았습니다. 전력 효율은 약 80.7%로 높은 편이었습니다. 2. 모스펫 부스트 초퍼 모스펫 부스트 초퍼의 동작을 이해하고 시동시켜보았습니다. 실험 결과 듀티 사이클에 따른 출력전압 변화, 스위칭 제어신호 주파수의 효과, 출력전력 대 입력전력을 측정하였습니다....2025.01.05
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기2025.01.091. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 MOSFET를 이용한 증폭기 회로로, 입력 MOSFET와 부하 MOSFET로 구성되어 있습니다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 동작 원리와 특성을 분석하고자 합니다. 실험 절차에 따라 캐스코드 증폭기의 DC 동작점 설정, 입출력 전압 특성 측정, 소신호 등가회로 분석, 전압 이득 측정 등을 수행하여 캐스코드 증폭기의 특성을 종합적으로 확인할 수 있습니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 임피던스와 낮은 ...2025.01.09
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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