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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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[전자공학응용실험]4주차_3차실험_실험12,13 소오스 팔로워, 공통 게이트 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. Source follower 소스 팔로워 회로에서는 입력이 게이트 단자에 인가되고 출력은 소스 단자에서 모니터링됩니다. 드레인 단자가 공통이므로 공통 드레인 증폭기라고 할 수 있습니다. 출력 신호가 입력 신호를 따르기 때문에 '소스 팔로워'라는 용어가 더 자주 사용됩니다. 2. Common gate amplifier 공통 게이트 증폭기 회로에서는 입력이 소스 단자에 인가되고 출력은 드레인 단자에서 관찰됩니다. 게이트 단자가 공통이므로 공통 게이트 증폭기라고 합니다. 이 회로는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮은 특성을 ...2025.01.29
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비교기 예비보고서2025.04.271. 연산 증폭기의 기본 동작 원리 연산 증폭기는 고 이득 전압증폭기로, 두 개의 입력단자와 한 개의 출력단자를 가지고 있다. 연산 증폭기는 두 입력단자 전압 간의 차이를 증폭하는 차동증폭기로 구성되어 있다. 연산 증폭기를 사용하면 사칙연산이 가능한 회로를 구성할 수 있으므로 '연산 증폭기'라고 부른다. 또한 연산 증폭기를 사용하여 미분기 및 적분기를 구현할 수 있다. 연산 증폭기는 일반적으로 +Vcc 및 -Vcc의 두 개의 전원이 필요하지만, 단일 전원만을 요구하는 연산 증폭기도 상용화되어 있다. 2. 이상적인 연산 증폭기의 특성...2025.04.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 회로 설계 시뮬레이션을 통해 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 확인하였습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 비교 분석한 결과, 회로의 이득이 동일하여 동일한 transfer characteristic curve를 관찰할 수 있었습니다. 또한 입력 전압을 고정하고 전원 전압을 변화시킬 경우, 특정 전압 이상에서는 출력 전압의 변화가 없는 것을 확인하였습니다. 이는 P-type MOSFET의 특성으로 인해 Drain 전압이 Source 전압보다 높을 수 없기 때문입니다. 2. Seri...2025.01.27
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Push-Pull Amplifier 설계2025.05.101. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기는 NPN, PNP 2개의 BJT로 구성되어 Dead zone이라는 구간이 발생한다. 입력전압 -Vbe 인 경우 두 BJT 모두 꺼진 상태로 동작하여 출력전압은 입력 전압에 상관없이 0이 되기 때문이다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull amplifier 출력단자를 OP-Amp (-)입력단자로 feedback시킨 것만으로 입출력 관계 전달특성곡선의 dead zone이 제거...2025.05.10
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 10주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. Frequency Response of Common Emitter Amplifier CE amplifier에서 VOUT 은 VIN 과 비교했을 때 Phase difference가 180도이다. VCE의 크기는 IC가 커지면 작아지고, IC가 작아지면 증가한다. VCE = VCC – IC*RC의 공식을 통해 확인할 수 있다. Bandwidth는 연속 주파수 집합에서 상한 주파수와 하한 주파수 간의 차이이다. 일반적으로 Hz 단위로 측정되며 상황에 따라 passband bandwidth, baseband bandwidth을 가리킨...2025.05.10
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capacitor 분해2025.05.121. 적층 세라믹 콘덴서(MLCC) 적층 세라믹 콘덴서(MLCC)는 여러 겹의 세라믹과 금속(니켈) 판이 쌓여 있는 구조를 가지고 있습니다. 이러한 구조를 통해 우수한 고주파 특성과 무극성의 장점을 가지고 있지만, 용량 변화가 크고 결락이 발생할 수 있는 단점이 있습니다. MLCC는 회로에 일정한 전류가 흐르도록 제어하는 핵심 부품으로 휴대폰, LCD TV, 컴퓨터 등 다양한 전자 기기에 사용됩니다. 2. 세라믹 유전체 MLCC에 사용되는 세라믹 유전체는 다양한 종류가 사용됩니다. 이러한 세라믹 유전체는 MLCC의 전압 범위(6.3...2025.05.12
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