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A+받은 오실로스코프 사용법 및 원리 결과레포트2025.05.101. RMS 측정 오실로스코프와 디지털 멀티미터를 이용하여 교류 전압의 RMS 값을 측정하는 실험을 수행했습니다. 오실로스코프를 통해 계산한 RMS 값과 디지털 멀티미터로 측정한 RMS 값에 차이가 있었으며, 이는 회로 구성 시 발생한 전압 강하 때문인 것으로 추측됩니다. 2. 리사주 도형 관찰 함수발생기를 이용해 주파수와 진폭이 같지만 위상차가 있는 두 신호, 그리고 주파수가 다른 두 신호의 리사주 도형을 관찰했습니다. 위상차에 따른 리사주 도형의 변화와 주파수 비에 따른 리사주 도형의 특성을 확인했습니다. 1. RMS 측정 RM...2025.05.10
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디지털공학_5장 카노맵 연습문제 풀이2025.05.101. 디지털공학 디지털공학은 전자 회로와 시스템을 설계하고 구현하는 데 사용되는 기술입니다. 이 분야에서는 이진수, 논리 게이트, 플립플롭 등의 기본 개념을 다룹니다. 카노맵은 디지털 시스템의 논리 함수를 간단하게 표현하고 최적화하는 데 사용되는 도구입니다. 1. 디지털공학 디지털공학은 현대 기술 발전의 핵심 분야입니다. 디지털 기술은 우리 삶의 많은 부분에 깊숙이 침투하여 삶의 질을 높이고 있습니다. 디지털 기술은 정보 처리, 통신, 제어 시스템 등 다양한 분야에 적용되어 효율성과 정확성을 높이고 있습니다. 특히 최근 인공지능, ...2025.05.10
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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10주차 결과보고서 RC, RL 및 RLC 회로의 과도상태와 정상상태 실험 보고서2025.05.031. RC 회로 RC 회로에서 저항과 커패시터의 값을 이용하여 시상수를 계산하고, 오실로스코프를 통해 측정한 시상수 값과 비교하였다. 또한 저항과 커패시터를 변경하여 전압 변화 시간 간격의 변화를 관찰하였다. 2. RL 회로 RL 회로에서 계산한 시상수 값과 오실로스코프로 측정한 시상수 값을 비교하였다. 또한 인덕터가 에너지를 자기장 형태로 저장하는 방식에 대해 설명하였다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서 계산한 공진주파수와 측정한 공진주파수를 비교하였다. 또한 부족감쇄, 임계감쇄, 과감쇄 등의 개념을 설명하였다. 1. RC 회로...2025.05.03
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서72025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가한다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성한다. 또한 저항 및 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성의 변화를 확인한다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 3주차 Voltage Regulator 설계2025.01.121. 전해콘덴서 전해콘덴서는 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성한다. 이때 실습계획서에서 설계한 값을 사용한다. 2. 전압 조정 Function generator를 조정하여 A와 B 사이의 전압파형이 실습계획서에서 구한 값이 되도록 한다. 1. 전해콘덴서 전해콘덴서는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전해콘덴서는 전압 평활화, 바이어스 전압 제공, 결합 및 차단 등의 기능을 수행합니다. 전해콘덴서는 극성이 있어 올바른 극성으로 연결해야 하며, 과전압이나 과전류에 주의해야 합니다...2025.01.12
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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