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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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전자회로설계실습 실습 7 결과보고서2025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실습을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 관찰하였습니다. 주파수를 변화시키면서 입력, 출력 전압과 전압 이득을 측정하였고, 커패시터 값을 변경하여 주파수 응답 특성의 변화를 확인하였습니다. 저주파 영역에서는 측정값과 시뮬레이션 값의 오차가 크게 나타났는데, 이는 저주파 신호에 고주파 노이즈가 섞여 정확한 측정이 어려웠기 때문입니다. 하지만 대역폭 영역에서는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. Common Em...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 3주차 Voltage Regulator 설계2025.01.121. 전해콘덴서 전해콘덴서는 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성한다. 이때 실습계획서에서 설계한 값을 사용한다. 2. 전압 조정 Function generator를 조정하여 A와 B 사이의 전압파형이 실습계획서에서 구한 값이 되도록 한다. 1. 전해콘덴서 전해콘덴서는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전해콘덴서는 전압 평활화, 바이어스 전압 제공, 결합 및 차단 등의 기능을 수행합니다. 전해콘덴서는 극성이 있어 올바른 극성으로 연결해야 하며, 과전압이나 과전류에 주의해야 합니다...2025.01.12
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 9주차 Feedback Amplifier 설계2025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변경하여 출력전압을 비교 분석하였다. 전원전압이 출력전압의 최대값에만 영향을 주는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전류를 측정하였다. 피드백 저항 값을 변경하여 출력전류를 비교 분석하였다. 피드백 저항 값 변화에 따라 출력전류가 변화하는 것을 확인하였다. 3. 구...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서12025.01.121. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이번 설계실습에서는 Inverting Amp와 Non-Inverting Amp를 직접 설계하고, pspice로 예상한 이론값과 실습을 통해 측정한 값을 비교해 보았습니다. 실험을 통해 Inverting Amp의 gain을 10으로 설계하였고, 그에 따른 입력전압과 출력전압이 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 주파수가 증가할수록 voltage gain이 감소하는 Low Pass Filter의 특성을 갖고 있음을 확인할 수 있었으며, 입력전압이 줄어들었을 때 출력 전압 역...2025.01.12
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