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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 9 - 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.241. Series-Shunt 피드백 증폭기 실험에서 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구현하고 입력전압의 변화에 따른 출력전압의 변화를 측정하였다. 입력전압이 증가함에 따라 출력전압이 약 2의 기울기로 증가하는 것을 확인하였으며, 입력저항, 부하저항, 전원 전압의 변화에도 이득이 약 2V/V로 일정함을 확인하였다. 이를 통해 설계한 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로의 입출력 관계식이 Av = Rf/Ri와 같음을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 실험에서 Series-Series 피드백 증폭...2025.01.24
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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전압분배 회로 실험회로1은 간단한 전압분배 회로로 해석할 수 있다. 직렬 R1C1와 병렬 R2C2에 의해, 전압의 gain은 f < 20kHz일 때는 주파수가 증가함에 따라 같이 증가하다가, 그 이후에는 감소하게 된다. myDAQ의 bode analyzer로 주파수 특성을 측정한 결과, 10Hz < f < 20kHz의 입력 신호에 대해서는 gain이 -50dB에서 -10dB까지 증가하는 모습을 보였다. 이는 PSpice 시뮬레이션의 결과와 경향성이 같다. 100Hz와 20kHz의 입력 신호에 대해서, gain값 또한 각각 -3...2025.01.21
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서강대학교 고급전자회로실험 7주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. Sampling 및 Aliasing 실험 결과 보고서에서는 다양한 샘플링 주파수에 따른 음 재생 결과를 확인하였습니다. 샘플링 주파수가 낮아질수록 aliasing 현상이 발생하여 원래의 음이 왜곡되는 것을 관찰할 수 있었습니다. 또한 하모닉 성분을 추가하여 음색을 변화시킨 경우에도 유사한 결과를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 aliasing을 줄이기 위해서는 최고 주파수 fmax를 낮추거나 샘플링 주파수 fs를 높이는 것이 필요하다는 것을 알 수 있었습니다. 1. Sampling 및 Aliasing Sampling 및 al...2025.01.21
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 12025.01.041. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정한 결과, peak to peak 전압이 200 mV였고 센서의 부하로 10 kΩ 저항을 연결한 후 10 kΩ 저항에 걸리는 전압을 측정한 결과 peak to peak 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 내부저항이 10 kΩ임을 알 수 있으며, 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있다. 또한 Function Generator의 출력을 100 mV로 설정하면 실제 출력전압의 peak to peak 전압이 200 mV가 출력된다. 2. Op amp를 사용한...2025.01.04
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)2025.01.291. 전류원 (Current Source) 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 (Current Mirror) 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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교류및전자회로실험 실험8_공진회로 결과보고서2025.01.201. 공진 현상 실험을 통해 직렬 및 병렬 공진 현상을 확인하고, 이것이 임피던스의 주파수 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 주파수가 증가함에 따라 측정값과 예상값 사이의 오차가 증가하는 현상이 관찰되었는데, 이는 회로의 고주파 특성 저하 및 임피던스 변화로 인한 것으로 추정된다. 공진 주파수 근처에서는 커패시터 전압과 인덕터 전압의 상대적 크기가 변화하는 것이 확인되었고, 전원전압과 저항 전압 간의 위상 차이도 관찰되었다. 실험에서 측정된 공진도와 차단주파수는 예상값과 불일치하였는데, 이는 임피던스 변화와 장비 한계로 인한 것으로...2025.01.20
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