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[전자회로응용] Integrator 결과레포트 (만점)2025.01.281. Integrator Integrator는 전자회로에서 사용되는 중요한 회로 중 하나입니다. Integrator의 동작 원리는 입력 신호를 적분하여 출력 신호를 생성하는 것입니다. Schmitt Trigger는 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호의 상태를 변경하는 회로입니다. 이 두 가지 회로의 동작 원리를 이해하고 실습 회로를 통해 이론 값과 측정 값을 비교하는 것이 이 실험의 목표입니다. 또한 Integrator 회로에서 B2 저항의 사용 이유에 대해서도 설명하고 있습니다. 1. Integrator Integrators ar...2025.01.28
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_결과보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실습에서는 이전에 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성과 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하였습니다. 실험 결과, 전압 및 전류 측정에서 평균 2.5% 이하의 오차를 얻을 수 있었고, 1MHz 이하의 주파수 대역에서는 실험 결과와 시뮬레이션 값의 차이가 작았습니다. 하지만 1MHz 이상의 고주파 대역에서는 오차가 크게 나타났습니다. 이는 가변 저항 값의 오차와 입력 전압이 작아 오실로스코프에서 정확한 측정이...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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교류및전자회로실험 실험8_공진회로 결과보고서2025.01.201. 공진 현상 실험을 통해 직렬 및 병렬 공진 현상을 확인하고, 이것이 임피던스의 주파수 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 주파수가 증가함에 따라 측정값과 예상값 사이의 오차가 증가하는 현상이 관찰되었는데, 이는 회로의 고주파 특성 저하 및 임피던스 변화로 인한 것으로 추정된다. 공진 주파수 근처에서는 커패시터 전압과 인덕터 전압의 상대적 크기가 변화하는 것이 확인되었고, 전원전압과 저항 전압 간의 위상 차이도 관찰되었다. 실험에서 측정된 공진도와 차단주파수는 예상값과 불일치하였는데, 이는 임피던스 변화와 장비 한계로 인한 것으로...2025.01.20
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전압 버퍼로도 불리며, 입력 신호를 증폭하지 않고 동일한 위상의 신호를 출력하지만, 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭하는 역할을 한다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. 소오스 팔로워 회로의 실험 결과 실험을 통해 R_S 값이 MOSFET의 동작 점과 회로의 전류 흐름에 중요한 역할을 한다는 점을 확인할 수 있었다. 또한 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 측정하여 소오스 팔로워의 전압 이득이 거의 1에 가까운 것을 ...2025.01.29
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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