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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기2025.01.091. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 MOSFET를 이용한 증폭기 회로로, 입력 MOSFET와 부하 MOSFET로 구성되어 있습니다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 동작 원리와 특성을 분석하고자 합니다. 실험 절차에 따라 캐스코드 증폭기의 DC 동작점 설정, 입출력 전압 특성 측정, 소신호 등가회로 분석, 전압 이득 측정 등을 수행하여 캐스코드 증폭기의 특성을 종합적으로 확인할 수 있습니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 임피던스와 낮은 ...2025.01.09
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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교류및전자회로실험 실험6 제너다이오드와 응용회로 예비보고서2025.01.171. 제너 다이오드 제너 다이오드는 정방향에서는 일반 다이오드와 동일한 특성을 보이지만 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압(항복 전압 혹은 제너 전압)에서 역방향 전류가 흐르는 소자이다. 제너 다이오드는 정전압을 얻을 목적으로 항복 전압이 크게 낮아지도록 설계되어 있으며, 전기 회로에 공급되는 전압을 안정화하기 위한 정전압원을 구성하는 데 많이 사용된다. 2. 제너 다이오드의 정전압회로 제너 다이오드를 사용한 가장 보편적인 응용은 정전압회로이다. 제너 다이오드를 부하에 병렬로 삽입하면 전원전압의 변화에 상관없이...2025.01.17
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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기초전자회로및실험1 3주차 결과레포트2025.01.281. 옴의 법칙 실험과정 2에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 3.3~4mA 증가하고, 실험과정 4에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 1.6~2mA씩 증가한다. 변화량을 직접 계산하면 실험과정 2는 ΔI=ΔV/R=2/600=3.334mA, 실험과정 4는 ΔI=ΔV/R=2/1200 =1.667mA가 증가하는 것을 보면 약간의 오차는 있지만, 옴의 법칙을 어느정도 만족한다고 볼 수 있다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬연결 실험에서는 어느 곳에서나 전류의 값이 유사하지만 전압은 다르다는 것, 병렬연결에서는 전류는 다르지만,...2025.01.28
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계측실험[Low-pass filter]2025.01.121. 저대역필터 실험의 목적은 저대역필터의 주파수응답을 실험하는 것입니다. 실험에 사용되는 도구는 함수발생기, 오실로스코프, Bread Board, 저항 (120Ω, 330Ω), 인덕터 (100μH, 150μH)입니다. 실험 방법은 Bread Board에 저항과 인덕터를 연결하여 회로를 구성하고, 신호발생기와 오실로스코프를 이용하여 주파수 응답을 측정하는 것입니다. 주파수 필터는 전자신호에서 원하는 주파수만 선택하고 나머지 주파수를 제거하는 과정을 말합니다. 선글라스는 자외선을 필터링하여 눈을 보호하는 실제 적용 사례입니다. 1. ...2025.01.12
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전자회로실험_A+레포트_Diode Clamper & Filter2025.01.131. 다이오드 클램퍼 회로 다이오드 클램퍼 회로는 입력 신호 파형을 변화시키지 않고 일정한 레벨로 고정시키는 회로이다. 다이오드, 캐패시터, 저항이 회로에 필요하며, 캐패시터 양단의 전압이 최댓값으로 유지될 수 있도록 충분한 충전시간이 필요하다. 양의 클램퍼는 입력신호 전압에 직류 전압을 더하여 그 레벨에 고정하고, 음의 클램퍼 회로는 캐패시터 양단에 Vp(in)-0.7V만큼이 충전된다. 2. 바이어스 클램퍼 회로 바이어스 클램퍼 회로는 다이오드 클램퍼 회로에 DC 전압이 추가된 회로이다. 다이오드 방향을 바꾸어 주면서 DC 전압을...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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응전실1_전압체배회로_결과보고서2025.01.131. 전압 체배 회로 이 보고서는 전압 체배 회로에 대한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험 1에서는 회로를 구성하고 VM-G, VA-G, VP-G를 측정했습니다. 실험 2에서는 500Ω의 부하를 병렬로 연결하여 동일한 측정을 수행했습니다. 결과 분석에 따르면 다이오드의 개수 차이와 중간 저항으로 인한 전압 강하로 인해 측정값에 차이가 있었습니다. 또한 이상적인 상황이 아니어서 약간의 오차가 발생했지만, 전압 체배 회로의 동작 원리를 잘 보여주는 실험 결과라고 할 수 있습니다. 1. 전압 체배 회로 전압 체배 회로는 입력 전압보다 ...2025.01.13
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