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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 NMOS의 소신호 등가회로는...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 23 연산 증폭기 응용 회로 1)2025.01.291. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 연산 증폭기의 비반전 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 입력 신호가 비반전(+) 단자로 들어가기 때문에, 출력 신호는 입력 신호와 동일한 위상을 가지며, 반전되지 않습니다. 이득은 피드백 저항과 입력 저항의 비율로 결정되며, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가지는 특성이 있어 신호 처리에 유리합니다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 연산 증폭기의 반전(-) 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 출력 신호는 입력 신호와 ...2025.01.29
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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다이오드 리미터와 클램퍼 예비레포트2025.05.061. 다이오드 리미터 다이오드 리미터는 교류신호의 끝단을 맞추거나 기준 레벨에 교류전압을 제한하기 위해 사용되는 회로입니다. 직렬 리미터는 다이오드가 신호 전송회로와 직렬로 연결되어 있어 (+)의 반주기를 제한하고, 병렬 리미터는 다이오드가 병렬로 연결되어 (-)의 반주기를 제한합니다. 바이어스된 병렬 리미터는 입력 정현파의 일부분을 제한하고, 바이어스된 2중 다이오드 리미터는 (+)와 (-)의 반주기를 각각 제한합니다. 2. 다이오드 클램퍼 다이오드 클램퍼는 입력파형의 형태를 변화시키지 않고 입력파형에 직류전위를 더해주는 회로입니...2025.05.06
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전자회로에서 발생하는 병목 현상에 대해 기술하시오2025.05.091. 전자회로 병목 현상 전자 회로에서 발생하는 병목 현상은 특정 구간에서 전기 신호의 흐름이 차단되어 신호의 전송이 느리거나 차단되는 현상을 말한다. 이는 전기 저항, 전기 용량, 증폭기 특성, 회로 크기 등의 요인으로 인해 발생할 수 있다. 전자 회로를 설계할 때는 이러한 병목 현상을 고려하여 최적의 회로를 구성해야 한다. 2. 전기 저항과 병목 현상 전기 저항은 전기 신호의 전송 속도를 늦추는 주요 요인 중 하나이다. 전기 신호는 전기 저항의 존재로 인해 전송 속도가 느려지기 때문에, 전자 회로에서 전기 저항을 최소화하는 것이...2025.05.09
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중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.05.101. Offset Voltage OP-Amp 내부에 Offset voltage가 존재하므로 출력전압은 0 V가 아니며 그 출력전압을 Open loop gain으로 나누면 Offset voltage를 구할 수 있다. 그러나 실제로는 이런 방법을 사용할 수 없는데, 그 이유는 1번 단자와 2번 단자에 같은 입력전압을 넣으면 Differential 성분이 0이라고 추측하기 쉽지만 실제로는 Op-Amp안의 설계를 보면 Offset-free op amp의 +단자에 가 연결되어있어 정확히 Matching이 되어 있지 않기 때문에 Differe...2025.05.10
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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