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전자회로실험_홍익대_실험32025.01.211. 반파 정류회로 반파 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 회로이다. 입력 전압의 양의 반주기 또는 음의 반주기만을 출력으로 내보내는 회로로, 다이오드의 커트-인 전압으로 인해 출력 전압의 첨두값이 입력 전압의 첨두값보다 작게 나타난다. 입력 전압의 진폭이 다이오드의 커트-인 전압보다 작은 경우 출력 전압은 0이 되는 구간이 발생한다. 2. 양의 반주기 정류 양의 반주기 정류에서는 입력 전압의 양의 반주기만을 출력으로 내보낸다. 입력 전압의 첨두값이 5V인 경우 출력 전압의 첨두값은 4.2V로 측정되었는데, 이는 다이오...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서72025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가한다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성한다. 또한 저항 및 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성의 변화를 확인한다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터...2025.01.11
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Diode의 회로적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 다이오드는 p-type과 n-type 반도체를 접합시켜 접합부에 diffusion 작용을 통해 Built-in potential이 형성되는 PN 접합 현상을 이용한 소자입니다. 다이오드는 정방향 전압 이상이 인가되면 급격한 전류 증가를 일으키는 특성이 있으며, 이를 통해 정류, 검파, 온도 센서 등 다양한 용도로 사용됩니다. 또한 Zener 다이오드는 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압에서 역방향 전류가 흐르는 특성을 가지고 있습니다. 2. Diode의 회로적 모델링 다이오드는 다...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 회로 설계 시뮬레이션을 통해 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 확인하였습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 비교 분석한 결과, 회로의 이득이 동일하여 동일한 transfer characteristic curve를 관찰할 수 있었습니다. 또한 입력 전압을 고정하고 전원 전압을 변화시킬 경우, 특정 전압 이상에서는 출력 전압의 변화가 없는 것을 확인하였습니다. 이는 P-type MOSFET의 특성으로 인해 Drain 전압이 Source 전압보다 높을 수 없기 때문입니다. 2. Seri...2025.01.27
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중앙대 전자회로설계실습 결과9. 피드백증폭기(Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변화시켜도 출력전압이 거의 유사하게 나타나는 것을 확인하였다. 이를 통해 피드백 증폭기의 동작이 입력임피던스나 부하 임피던스에 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. 또한 전원전압 변화에도 입출력 이득이 일정하게 유지되는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 LED 전류를 측...2025.01.27
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기초전자회로및실험1 10주차 예비레포트2025.01.281. 휘스톤 브리지 휘스톤 브리지는 1843년 찰스 휘스톤이 개선하여 발표한 전기 회로로, 값을 측정하려는 저항을 포함한 네 개의 저항을 다리 모양으로 연결하여 사용한다. 휘스톤 브리지는 두 다리를 균형있게 하여 값을 모르는 저항을 측정하는데 사용되며, 정확한 측정이 가능하다는 특징이 있다. 또한 휘스톤 브리지는 커패시터와 인덕터의 측정에도 사용되며, 온도, 압력 측정 등 여러 분야에서 활용되는데, 트랜스듀서와 결합하여 사용된다. 2. 미분회로 입력 파형을 미분하여 출력하는 회로를 미분회로라고 한다. RC 미분회로와 RL 미분회로가...2025.01.28
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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실험 05_BJT 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 가장 기본적인 바이어스 회로로, 저항 R_B1 또는 R_B2의 변화에 따라 V_BE 전압과 I_C의 변화가 심...2025.04.27
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