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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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대학물리및실험2_실험4_R-C 회로실험2025.01.151. 축전기 축전기는 전자회로에서 전하를 충전하거나 방전하는 역할을 한다. 보통 2장의 서로 절연된 금속판 또는 도체판을 전극으로 하고 그 사이에 절연체 또는 유전체를 넣는다. 이상적인 평행판 축전기의 경우, 축전기의 전기용량 C의 크기는 전극의 면적 A에 비례하고, 전극 사이의 거리 d에 반비례한다. 전극 사이의 유전체의 유전율을 ε(엡실론)이라고 하면, 전기용량 C는 가 된다. 따라서 전극의 표면적이 클수록, 간격이 좁을수록, 또 유전체의 유전율이 클수록 전기용량이 커진다. 2. 시상수 축전기에 직류전압을 가하면 전하가 완전히 ...2025.01.15
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교류및전자회로실험 실험10-2 트랜지스터 증폭회로2 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 이 실험에서는 common-collector 형태의 emitter follower 회로와 Darlington amplifier를 구현하고 그 동작을 확인하여 트랜지스터 증폭회로에 대한 이해를 높였습니다. 이를 통해 입력 임피던스, 출력 임피던스, buffer의 개념을 심화하였습니다. 2. emitter follower 회로 emitter follower 회로는 신호의 크기를 증폭하지는 않지만, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가져 신호원의 교류신호가 부하에 그대로 전달되도록 하는 역할을 합니다. ...2025.01.17
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[A+보고서] 전자회로 실험-다이오드 (다이오드의 특성 분석)2025.01.171. 다이오드 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하고, 그 역방향으로 흐르지 못하게 하는 성질을 가진 반도체 소자이다. 다이오드의 전류를 한 방향만으로 흐르게 하는 작용을 정류라 하며, 교류를 직류로 변환할 때 쓰인다. 다이오드에는 이 정류용 다이오드가 흔히 쓰이지만 그 밖에도 여러 가지 용도가 있다. 다이오드에는 많은 종류가 있으며 특성이 다르다. 예를 들어, 빛을 내는 발광 다이오드나 전압에 의하여 정전 용량이 바뀌는 가변 용량 다이오드 등이 있다. 2. 정류기 정류기는 순방향 저항은 작고 역방향 저항은 충분히 커서 한쪽 ...2025.01.17
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R & E 활동 보고서 <Flex Senser를 이용한 로봇 손 탐구>2025.05.081. 사람의 손뼈 손뼈는 손의 기둥 역할을 하며, 많은 수의 작은 뼈로 구성되어 있어 관절이 있어 손의 섬세한 동작을 할 수 있도록 한다. 손뼈에는 손 내부의 근육과 손가락 및 손목을 움직이는 힘줄이 붙어 있다. 2. Flex Sensor Flex Sensor는 편향 또는 벤딩의 양을 측정하는 센서로, 표면에 고정되어 센서 요소의 저항이 표면을 구부리면서 변화된다. 저항은 굽힘의 양에 정비례하기 때문에 각도계로 사용된다. 3. 로봇 손 제작 사람의 손 뼈 구조를 참고하여 플라스틱으로 손 모형을 만들고, Flex Sensor를 장갑에...2025.05.08
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아주대 전자회로실험 설계3 결과보고서2025.05.091. 최대 출력전압 및 주파수 측정 최대 출력전압(Vpp)은 43.014kHz에서 2.0884Vpp로 나타났습니다. 2. 3dB 감소 주파수 측정 최대 peak 값보다 3dB 감소(0.707) 하는 주파수는 40.918kHz와 45kHz로 측정되었습니다. 3. Center frequency 및 Center frequency gain 측정 Center frequency는 43.014kHz이며 gain은 1.044로 1에 가깝게 나왔습니다. 4. 3dB bandwidth 및 20dB bandwidth 측정 3dB bandwidth는 4...2025.05.09
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아주대학교 A+전자회로실험 실험2 결과보고서2025.05.091. 전류-전압 변환 회로 실험 2에서는 부궤환 회로에서의 전류-전압 변환 회로를 구성하고, 741C에 DC 전압을 가한 후 가변 저항 값을 변화시키면서 입력 전류에 대한 출력 전압을 측정하였다. 실험 결과 실제 측정값과 이론, 시뮬레이션 값의 오차가 약 11% 정도 발생했지만, V_out = -I_in * R 관계식을 만족하는 값이 나왔다. 이를 통해 전압-전류, 전류-전압, 전압증폭, 전류증폭 등 다양한 반전 증폭기의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 오차 분석 실험 과정에서 발생한 오차의 원인으로는 소자 자체의 오차 및 비이상성...2025.05.09
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전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 회로 설계 시뮬레이션을 통해 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 확인하였습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 비교 분석한 결과, 회로의 이득이 동일하여 동일한 transfer characteristic curve를 관찰할 수 있었습니다. 또한 입력 전압을 고정하고 전원 전압을 변화시킬 경우, 특정 전압 이상에서는 출력 전압의 변화가 없는 것을 확인하였습니다. 이는 P-type MOSFET의 특성으로 인해 Drain 전압이 Source 전압보다 높을 수 없기 때문입니다. 2. Seri...2025.01.27
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