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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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중앙대 전자회로설계실습 결과9. 피드백증폭기(Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변화시켜도 출력전압이 거의 유사하게 나타나는 것을 확인하였다. 이를 통해 피드백 증폭기의 동작이 입력임피던스나 부하 임피던스에 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. 또한 전원전압 변화에도 입출력 이득이 일정하게 유지되는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 LED 전류를 측...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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연산증폭기 기본 회로 결과보고서2025.04.261. 반전증폭기 실험 1에서는 반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 180도 차이나며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 또한 3dB 주파수를 측정하는 과정에서 예비보고서와 실제 실험 결과 간 차이가 큰 것을 발견하였는데, 이는 3dB 주파수 측정 방식을 제대로 이해하지 못해 발생한 것으로 판단된다. 2. 비반전증폭기 실험 2에서는 비반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 같으며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 반전증폭기와 마찬가지로 3d...2025.04.26
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증폭기의 주파수 특성2025.04.261. 이미터 접지 증폭 회로 이미터 접지 증폭 회로 실험을 통해 주파수 특성에 대해 알게 되었다. 실험 결과, 이론과 달리 실제 증폭기의 이득은 회로를 구성하는 결합 커패시터와 부하 커패시터, 그리고 트랜지스터 내부의 기생 정전용량 성분에 영향을 받는다. 또한 이득은 신호의 주파수에 따라 출력이 달라지며, 그 범위는 저주파, 중간주파, 고주파의 세 영역으로 주파수 범위에 따라 구분할 수 있다. 2. 주파수 특성 실험 이미터 접지 증폭기의 주파수 특성 실험을 통해 주파수 응답에 대해 알게 되었다. 주파수 응답은 진폭이 일정한 다양한 ...2025.04.26
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오디오 전력 증폭기 설계 및 제작 결과보고서2025.04.261. 오디오 전력 증폭기 설계 전자회로실험 결과보고서10장. 오디오 전력 증폭기 설계 및 제작을 다루고 있습니다. 실험에 사용된 장비 및 부품, 실험 방법 및 결과, 브레드보드와 IC 기판을 이용한 회로 구현 과정, 그리고 실험 결과에 대한 검토 사항 등이 포함되어 있습니다. 2. 트랜지스터 동작 원리 이번 실험에서는 2N3904, 2N3906, TIP122, TIP127 트랜지스터의 동작과 연결 방법을 자세히 알게 되었습니다. 트랜지스터의 특성을 이해하고 회로 설계에 적용하는 방법을 배울 수 있었습니다. 3. 회로 설계 및 구현 ...2025.04.26
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실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화영역에서 ...2025.04.27
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