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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 6주차 예비레포트2025.05.101. 센서의 이해 센서는 물체의 움직임, 물질의 양, 온도 등 물체의 특성을 감지하는 장치입니다. 이번 실험에서는 터치 센서와 힘 센서에 대해 알아봅니다. 터치 센서에는 저항식 터치 센서와 정전식 터치 센서가 있으며, 이번 실험에서는 TTP223B 정전식 터치 센서를 사용합니다. 힘 센서는 물리적인 압력을 전기 신호로 변환하여 인식하는 센서로, 이번 실험에서는 FSR402 힘 센서를 사용합니다. 센서의 작동 원리와 특성을 이해하고 실험을 통해 확인할 수 있습니다. 1. 센서의 이해 센서는 물리적 또는 화학적 변화를 감지하여 전기적 ...2025.05.10
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전자회로설계실습 2번 예비보고서2025.01.201. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 이상적인 Op Amp를 가정할 경우 출력전압은 0V가 되지만 실제 Op Amp의 경우에는 Op Amp 내부에 Offset voltage가 존재하므로 출력전압이 0V가 아니다. Offset voltage를 측정하기 위해 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하여 offset voltage를 구한다. Slew rat...2025.01.20
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성입니다. 입력 신호는 R을 통해 연산 증폭기의 반전 입력(-) 단자로 들어가고, 출력은 C를 통해 피드백됩니다. 입력 신호에 의해 전류가 흐르고, 이 전류는 커패시터에 전하를 축적합니다. 커패시터 전하가 시간에 따라 누적되면서 출력 전압이 변화하며, 출력 전압은 입력 전압의 적분값에 비례합니다. 적분기 회로는 입력 신호가 일정하면 출력이 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위...2025.01.29
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 3장 연습문제 풀이2025.01.021. 특수 목적 다이오드 제시된 문제에서는 특수 목적 다이오드인 제너 다이오드의 동작 원리와 특성을 다루고 있습니다. 문제 1에서는 제너 다이오드의 부하 전류와 제너 전류를 계산하고, 최소 부하 저항을 구하는 문제입니다. 문제 2와 3에서는 제너 다이오드의 최소 동작 전압과 최소값을 구하는 문제입니다. 문제 4에서는 제너 전압을 유지하기 위한 부하 저항 값 조정 문제입니다. 문제 5와 6에서는 교류 신호에서 제너 다이오드와 일반 다이오드의 동작을 설명하고 있습니다. 문제 7과 8에서는 제너 정전압 작용이 유지되기 위한 조건과 최소/...2025.01.02
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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연산증폭기 기본 회로 결과보고서2025.04.261. 반전증폭기 실험 1에서는 반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 180도 차이나며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 또한 3dB 주파수를 측정하는 과정에서 예비보고서와 실제 실험 결과 간 차이가 큰 것을 발견하였는데, 이는 3dB 주파수 측정 방식을 제대로 이해하지 못해 발생한 것으로 판단된다. 2. 비반전증폭기 실험 2에서는 비반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 같으며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 반전증폭기와 마찬가지로 3d...2025.04.26
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