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가산기, 감산기 실험보고서2025.04.271. 가산기 실험 가산기 실험에서는 다양한 저항값과 입력 전압을 적용하여 출력 전압을 측정하고 이론값과 비교하였습니다. 실험 결과, 모든 케이스에서 측정한 출력 전압이 이론값과 근사함을 확인할 수 있었습니다. 따라서 가산기의 작동을 실험에서 확인할 수 있었습니다. 2. 감산기 실험 감산기 실험에서도 다양한 저항값과 입력 전압을 적용하여 출력 전압을 측정하고 이론값과 비교하였습니다. 실험 결과, 모든 케이스에서 측정한 출력 전압이 이론값과 근사함을 확인할 수 있었습니다. 따라서 감산기의 작동을 실험에서 확인할 수 있었습니다. 3. 오...2025.04.27
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실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서2025.04.271. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 순방향 바이어스 시 저항이 작아지고 역방향 바이어스 시 저항이 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 항복 전압을 낮추어 준 소자로서, 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 ...2025.04.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 20 차동 증폭기 기초 실험)2025.01.291. 정전류원 회로 정전류원 회로는 일정한 전류를 제공하는 회로로, 주로 전류 제어 및 안정적인 전류 공급이 요구되는 응용에서 사용된다. 이 회로는 MOSFET의 전류 제어 특성과 전류 거울 원리를 사용하여 기준 전류를 설정하고, 이를 기반으로 일정한 부하 전류를 제공한다. 2. 차동 증폭기 회로 차동 증폭기는 두 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로로, 높은 입력 저항과 낮은 출력 저항을 가지며 잡음 제거와 신호 증폭에서 중요한 역할을 한다. 이 회로는 입력 신호의 차이를 증폭하고 공통 모드 신호를 억제하여 신호 품질을 향상시킨다. ...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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[전자공학실험2] 연산 증폭기2025.04.271. 연산 증폭기의 사용법 및 특성 측정 이 실험에서는 연산 증폭기의 사용법을 익히고, 연산 증폭기의 특성 측정과 응용 회로 실험을 통해 연산 증폭기의 성능 및 동작 원리를 이해하였습니다. 실험을 통해 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류, 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 특성, 슬루율 측정, 최대 증폭도 측정, 적분기 회로 등을 확인하였습니다. 2. 연산 증폭기의 DC 오프셋 특성 실험 1에서는 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류를 측정하였습니다. 연산 증폭기 내부의 소자 불일치로 인해 발생하는 DC 오프셋 특성...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리 - 결과보고서 실험 시 사용했던 장비 & 부품파워 서플라이멀티미터브레드보드고정 저항 x4 [300Ωx2, 150Ω, 330Ω] 실험 결과 & 사진기본 회로 실험이론값노턴 등가회로 실험[V][mA][V][][V][mA]3.12059.613.13002.92389.11 결론(실험 결과에 대한 설명)기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압 과 노턴 등가회로의 의 값이 비슷하다. 또한, 기본 회로에서 부하저항에 흐르는 전류 과 노턴 등가회로의 이 약간의 오차가 있지만 유사하다. 이는 등가회로의 등가성이 성립되기 때...2025.04.28
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 9주차2025.05.041. RC 회로 첫 번째 실험은 RC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 같았다. RC 회로의 시정수는 R×C 이다. 2. LC 회로 두 번째 실험은 LC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 대부분 같았다. 68Ω일 때 가장 큰 유효숫자의 값이 달랐지만 시정수 자체가 매우 작은 것을 감안하면, 거의 같은 값으로 볼 수 있다. LC 회로의 ...2025.05.04
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서12025.05.141. Function generator 특성 및 voltage division 첫 번째 실험에서는 Function generator의 자체 특성과 voltage division에 의해 output resistance에 걸리는 전압이 어떻게 변하는지를 관측하였고, 정확하게 측정되었다. 2. Inverting amplifier 설계 및 특성 두 번째 실험에서는 inverting amplifier를 사용하였다. 예비보고서와 최대한 비슷하게 설계를 하였고, 센서의 내부저항을 고려하여 amplifier gain이 -10배가 되도록 설계하였다...2025.05.14
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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