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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과보고서12 Stopwatch설계2025.05.151. 아날로그 및 디지털 회로 설계 이 보고서는 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습의 일환으로 Stopwatch 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 기본적인 클럭 생성 회로와 카운터 회로를 테스트하고, 1Hz의 클럭 신호를 생성하여 BCD 카운터와 7-segment 디코더를 통해 숫자를 표시하는 회로를 구현하였습니다. 또한 2자리 숫자 표시와 최대 숫자 제어, 3자리 숫자 표시(시간 표현) 카운터 설계 등의 과정을 거쳐 최종적으로 시간을 표시하는 Stopwatch 회로를 설계하였습니다. 2. BCD 카운터 BCD 카운터(10진 카...2025.05.15
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서2 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp의 특성측정 방법 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로를 설계, 구현, 측정, 평가하였습니다. Offset voltage 측정 방법으로 이상적인 Op-Amp를 사용하여 100 Hz에서 Gain이 100 (V/V), 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier를 설계하고, 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하는 수식을 제출하였습니다. 또한 Non-inverting amplifier의 gain을 이용하여 offset voltage를 측정하는 방법을 기...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH2. 반파정류와 전파정류 실험보고서2025.05.051. 반파정류 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 양(+)의 주기는 도통되고 음(-)의 주기는 차단시킴으로써 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사용하면 출력전압의 평균값이 Vm/π이 되지만, 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 전압이 인가되어야 전류가 도통되므로 전압강하가 발생하여 이론값과 차이가 난다. 2. 전파정류 전파정류는 교류의 전원이 음(-)의 주기일때도 양(+)의 주기일 때와 같은 방향의 전류가 부하에 흐르게 함으로써, 모든 주기에서 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사...2025.05.05
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Voltage Regulator 설계2025.05.101. 전자회로 설계 및 실습 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 5 K의 부하에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이며, ripple이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터의 크기를 설계하는 과정을 설명하고 있습니다. 또한 PSPICE를 사용하여 회로를 구현하고 분석한 결과도 제시하고 있습니다. 1. 전자회로 설계 및 실습 전자회로 설계 및 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 전자회로 설계는 전자 기...2025.05.10
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