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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과보고서12 Stopwatch설계2025.05.151. 아날로그 및 디지털 회로 설계 이 보고서는 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습의 일환으로 Stopwatch 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 기본적인 클럭 생성 회로와 카운터 회로를 테스트하고, 1Hz의 클럭 신호를 생성하여 BCD 카운터와 7-segment 디코더를 통해 숫자를 표시하는 회로를 구현하였습니다. 또한 2자리 숫자 표시와 최대 숫자 제어, 3자리 숫자 표시(시간 표현) 카운터 설계 등의 과정을 거쳐 최종적으로 시간을 표시하는 Stopwatch 회로를 설계하였습니다. 2. BCD 카운터 BCD 카운터(10진 카...2025.05.15
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한국기술교육대학교 전자회로실습 CH8. 공통이미터회로 직류바이어스 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 특성곡선 이상적인 트랜지스터의 특성곡선과 실제 트랜지스터의 특성곡선을 설명하고, 트랜지스터의 사용 목적에 따른 구분을 다룹니다. 또한 특성곡선과 직류부하선의 관계를 설명하고, 직류부하선의 변화에 따른 영향을 분석합니다. 2. 트랜지스터의 동작모드 트랜지스터의 스위치 모드 동작을 설명하고, 베이스 전류에 따른 이미터-컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 관계를 정리합니다. 또한 트랜지스터의 세 가지 동작모드(차단, 활성, 포화)를 설명합니다. 3. 실험 방법 및 결과 실험 장비 및 재료를 소개하고, 트랜지스터 특성곡선 실험 방...2025.05.05
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서2 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp의 특성측정 방법 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로를 설계, 구현, 측정, 평가하였습니다. Offset voltage 측정 방법으로 이상적인 Op-Amp를 사용하여 100 Hz에서 Gain이 100 (V/V), 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier를 설계하고, 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하는 수식을 제출하였습니다. 또한 Non-inverting amplifier의 gain을 이용하여 offset voltage를 측정하는 방법을 기...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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