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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH2. 반파정류와 전파정류 실험보고서2025.05.051. 반파정류 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 양(+)의 주기는 도통되고 음(-)의 주기는 차단시킴으로써 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사용하면 출력전압의 평균값이 Vm/π이 되지만, 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 전압이 인가되어야 전류가 도통되므로 전압강하가 발생하여 이론값과 차이가 난다. 2. 전파정류 전파정류는 교류의 전원이 음(-)의 주기일때도 양(+)의 주기일 때와 같은 방향의 전류가 부하에 흐르게 함으로써, 모든 주기에서 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사...2025.05.05
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH3. 브리지정류와 평활회로 실험보고서2025.05.051. 브리지정류 회로 브리지정류 회로는 전파정류 회로로 가장 많이 사용되고 있는 회로이다. 브리지정류는 교류전압이 (+)인 구간에서 도통되는 다이오드와 (-)인 구간에서 도통되는 다이오드를 함께 연결하여 항상 일정한 방향으로 전압이 걸리고 전류가 흐르게 하는 회로이다. 브리지 다이오드 전파정류 출력전압의 평균값과 주파수는 변압기의 중간탭을 이용한 전파 정류회로의 평균값, 주파수와 같으며, 입력전압으로부터 2VDO만큼 전압 강하가 된 출력이 생성된다. 2. 평활 회로 브리지 전파 정류회로에서 정류된 파형을 푸리에 변환시켜보면 많은 교...2025.05.05
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Voltage Regulator 설계2025.05.101. 전자회로 설계 및 실습 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 5 K의 부하에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이며, ripple이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터의 크기를 설계하는 과정을 설명하고 있습니다. 또한 PSPICE를 사용하여 회로를 구현하고 분석한 결과도 제시하고 있습니다. 1. 전자회로 설계 및 실습 전자회로 설계 및 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 전자회로 설계는 전자 기...2025.05.10
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전자회로설계실습 실습 9 결과보고서2025.01.041. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력 저항과 부하 저항값에 변화를 주며 출력전압의 변화를 관찰하였다. 출력전압의 측정값이나 gain에 큰 차이가 없었다. 전원 전압을 12V에서 8V로 하강시키고 입력전압을 증가시키며 측정값의 변화를 관찰하였다. 8V로 하강시키자 일정 입력전압 이상에서 gain을 유지하지 못하고 출력전압이 전원 전압을 넘지 못하는 것을 관찰할 수 있었다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 Rf에 변화를 주며 LED에...2025.01.04
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한국기술교육대학교 전자회로실습 CH8. 공통이미터회로 직류바이어스 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 특성곡선 이상적인 트랜지스터의 특성곡선과 실제 트랜지스터의 특성곡선을 설명하고, 트랜지스터의 사용 목적에 따른 구분을 다룹니다. 또한 특성곡선과 직류부하선의 관계를 설명하고, 직류부하선의 변화에 따른 영향을 분석합니다. 2. 트랜지스터의 동작모드 트랜지스터의 스위치 모드 동작을 설명하고, 베이스 전류에 따른 이미터-컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 관계를 정리합니다. 또한 트랜지스터의 세 가지 동작모드(차단, 활성, 포화)를 설명합니다. 3. 실험 방법 및 결과 실험 장비 및 재료를 소개하고, 트랜지스터 특성곡선 실험 방...2025.05.05
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