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중앙대학교 전자회로설계실습 예비6. Common Emitter Amplifier 설계 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 과정에서 작성된 예비 6번째 실습 보고서입니다. 이 보고서에서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 회로 설계, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 실제 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭...2025.01.27
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RLC 회로 보고서2025.01.281. RLC 회로 RLC 회로에서 공진 현상이 일어나는 주파수 영역을 추정하고, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등을 측정 및 계산하였다. 실험 결과를 토대로 RLC 회로의 특성을 이해할 수 있었다. 2. 공진 주파수 RLC 회로에서 공진 주파수는 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스가 서로 상쇄되어 임피던스가 최소가 되는 주파수이다. 실험을 통해 공진 주파수를 측정하고 계산하였으며, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등의 특성을 분석하였다. 3. 전류-주파수 그래프 전류-주파수 그래프는 공진 주파수를 기준으로 대칭적인...2025.01.28
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전자공학 ) 1. 광도전 효과, 황화 카드뮴, 광기전 효과, 루미네선스에 대한 설명2025.01.281. 광도전 효과(Photo-Conductivity Effect) 광도전 효과(Photo-Conductivity Effect)는 특정 물질, 특히 반도체에서 빛을 흡수했을 때 전기 전도도가 증가하는 현상이다. 빛을 받으면 물질 내부의 전자들이 에너지를 흡수하여 원래 속박된 상태에서 자유 전자로 전이하게 된다. 이 자유 전자들이 전기장을 통해 이동함으로써 전기 전도성이 증가한다. 이는 빛의 강도에 따라 물질의 전기적 성질이 변하는 것을 의미하며, 주로 광센서나 광전 소자에서 사용된다. 2. 황화 카드뮴(CdS) 황화 카드뮴(CdS)은...2025.01.28
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LED의 특징과 아두이노에서의 동작 원리2025.01.281. LED의 특징 LED(Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 방출하는 반도체 소자입니다. LED는 현대 전자기기에서 가장 널리 사용되는 광원 중 하나로, 에너지 효율성, 긴 수명, 빠른 응답 속도, 다양한 색상 구현, 소형화 및 경량화 등의 다양한 특성과 장점을 가지고 있습니다. 하지만 역방향 전압 민감도와 열 관리 필요성과 같은 한계점도 있습니다. 2. 아두이노에서의 LED 동작 원리 아두이노는 오픈 소스 기반의 마이크로컨트롤러 플랫폼으로, LED와 같은 전자 소자를 간단히 제어할 수 있습니다. LED...2025.01.28
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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전압 체배 회로의 동작 원리와 회로 구성2025.01.131. 전압 체배 회로의 동작 원리 실리콘 반파 정류회로의 단점인 DC 전압 제한을 극복하기 위해 전압 체배 회로를 사용한다. 입력 전압의 정 반주기 동안 각 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 2배 크기의 DC 전압을 출력할 수 있다. 이때 C3의 정격 전압이 C1, C2보다 높아야 하는 이유는 C3에서 C1과 C2의 충전 전압을 합친 전압을 충전해야 하기 때문이다. 2. 직렬 전압 체배 회로 직렬 전압 체배 회로는 입력 전압의 부 반주기와 정 반주기에 각각 다른 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 4배 크기의 DC ...2025.01.13
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 예비보고서2025.01.131. 이미터 팔로워 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 이미터 팔로워 회로에서 입력은 베이스 단자에 인가되고, 출력은 이미터 단자에서 감지된다. 컬렉터 단자가 공통이므로, 공통-컬렉터 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '이미터 팔로워'라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC레벨에서 V_BE만큼...2025.01.13
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 다단 증폭기 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기의 개념은 전압원이 인가되면, 증폭기 1은 이 입력으로 받아서 증폭을 한 후 출력을 생성하고, 증폭기 2에서는 이 출력을 입력으로 받아서 최종 출력을 생성하는 것이다. 다단 증폭기의 전압 이득은 증폭기 1과 증폭기 2의 전압 이득을 곱하여 계산할 수 있다. 2. MOSFE...2025.01.13
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