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TCAD2024.11.301. 서론 1.1. 구성 요소 구성 요소는 목표 설정, 분석, 설계, 평가로 이루어져 있다. 목표 설정에서는 NMOS 구조를 설계하여 VD=0.1V일 때 Vth값을 5V로 도출해내고, VD=1V일 때 ID> 5X10^-5가 되도록 설계하는 것이다. 분석에서는 Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping Profile, Oxide 두께, Gate 선폭을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 분석한다. 설계에서는 T-CAD 시뮬레이션인...2024.11.30
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전자회로 실험4 MOS2024.11.121. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 목적 MOSFET의 특성 실험의 목적은 MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것이다. MOSFET은 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터로, 게이트가 산화 실리콘(SiO2) 층에 채널과 격리되어 있어 JFET와 다르다. MOSFET에는 공핍형(D-MOSFET)과 증가형(E-MOSFET) 두 종류가 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 구조와 특성, 공핍형과 증가형의 동작 원리, 그리고 이에 따른 전달특성곡...2024.11.12
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전자공학실험 차동 증폭기 심화 예비보고서2024.12.101. 차동 증폭기 1.1. 차동 증폭기의 기본 구조와 설계 1.1.1. 능동 부하와 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 필수적인 요소이다. 수동 부하 저항을 사용하여 회로를 설계하는 것보다 능동 부하 회로를 이용하는 것이 더 유리하다. 능동 부하는 일정한 전류원(constant DC current source 또는 reference current)을 기반으로 한다. 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하면 저항의 정확도에 따라 회로의 신뢰성이 결정된다. 하지만 능동 부하 회로를 이용하면 값이 정확한 저항 한...2024.12.10
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mosfet2024.09.091. MOSFET 개요 1.1. MOSFET 정의 MOSFET은 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 약자로, 전계 효과를 이용하여 전류를 조절할 수 있는 전자 소자이다. MOSFET은 게이트(Gate), 소스(Source), 드레인(Drain), 그리고 기판(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압에 따라 소스와 드레인 사이의 전류를 조절할 수 있는 특성을 가진다. MOSFET은 다양한 전자 회로에서 증폭기, 스위치...2024.09.09
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Jfet 10vdd2024.10.201. JFET 바이어스 회로 1.1. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로는 게이트 전압 VGG를 직접 JFET의 게이트에 연결하여 게이트-소스 전압 VGS를 고정시키는 방식이다. 이 회로에서는 게이트 전류 IG가 0이기 때문에 게이트 저항 RG에 걸리는 전압 강하가 발생하지 않는다. 따라서 VG는 -VGG가 되어 VGS와 같아진다. 이러한 JFET 고정 바이어스 회로는 BJT의 고정 바이어스 회로와 달리 게이트 전류가 흐르지 않기 때문에 게이트 저항에 걸리는 전압 강하가 0V가 된다. 이에 따라 게이트 전압...2024.10.20
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Amplifer 회로설계2025.03.241. 서론 1.1. 전자회로 실험 프로젝트와 Two Stage Amplifier Two Stage Amplifier는 2개의 stage로 구성되어 있다. 이 프로젝트에서는 1mV의 input voltage swing을 36mV까지 증폭시키는 것을 목표로 하였다. 첫 번째 stage에서 6mV를 증폭시킨 후 두 번째 stage에서 다시 6mV를 증폭시켜 최종적으로 36mV의 출력을 얻었다. 또한 높은 gain을 얻기 위해 cascode 구조를 사용하였다. MOSFET를 증폭기로 사용하기 위해서는 MOSFET의 동작모드와 특성을 이...2025.03.24
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전자회로실험 공통소오스 증폭기2024.09.121. 공통 소오스 증폭기 실험 1.1. 실험 목적 및 개요 이 실험의 목적은 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 측정하는 것이다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력 출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 즉, 공통 소오스 증...2024.09.12
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전자회로실험 실험112024.09.151. 공통 소오스 증폭기 1.1. 실험 절차 실험 절차는 다음과 같다. 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 결정해야 한다. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인해야 한다. 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 그려야 한다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, ...2024.09.15
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증폭기 프로젝트2024.09.131. 개요 오디오 증폭기는 음성신호를 증폭하여 스피커를 구동할 수 있는 충분한 전력을 제공하는 장치이다. 일반적으로 처리하는 신호가 음성신호이므로 대역폭은 20 Hz에서 20 kHz 정도이어야 하고, 낮은 스피커 부하저항을 구동함에 있어서 왜곡 없이 충분한 이득을 제공할 수 있어야 한다. 본 프로젝트에서는 스마트폰 등의 헤드셋 단자에서 나오는 작은 음성신호를 스피커로 감상할 수 있도록 오디오 증폭기를 설계 및 구현하고자 한다. 이를 위해 입력 신호의 특성, 전원전압, 출력전력, 볼륨 조절 기능, 스피커 부하저항, 그리고 대역폭 등의...2024.09.13
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mosfet 전류 전압 실험 결과2024.09.231. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 개요 이 실험은 MOSFET이라는 새로운 반도체 소자의 동작 원리를 이해하고, 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것을 목적으로 한다. MOSFET은 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하는 소자이다. 이번 실험에서는 회로를 구성하고 게이트-소스 전압(VGS)과 드레인-소스 전압(VDS)의 값을 조정해 가면서 드레인 전류(ID)를 측정하여 드레인 특성...2024.09.23
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