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통신공학실습 6주차 서울시립대2024.11.051. 믹서 회로 설계 및 제작Ⅱ 1.1. 실험 소개 1.1.1. 실험 목적 이번 실험의 목적은 Passive 소자인 RLC 회로에서 발생하는 증폭 감소 문제를 Active 소자인 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 이용하여 해결하는 것이다. 저번 실험에서는 RLC 소자를 이용하여 Passive 회로로 BPF를 설계하고 메시지 신호를 복원하였다. 그러나 Passive 소자의 특성상 Gain이 많이 떨어지는 문제가 발생하였다. 이번 실험에서는 BJT Active 회로를 이용하여 IF 필터를 설계함으로써 G...2024.11.05
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pt면접2024.09.271. 반도체 기초 1.1. 반도체의 정의 및 특성 반도체는 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그 전기저항률이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물의 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 구분된다. 진성 반도체는 순도가 매우 높은 4족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 진성 반도체는 평상시에는 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나, 전기, 빛, 열 등의 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 자유전자가 되어 전류를 흐르게 한...2024.09.27
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중앙대학교 전압제어 발진기 설계 실습 예비보고서2024.10.131. 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 1.1. 실습 목적 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하는 것이 이번 실습의 목적이다. 구체적으로는 Op-Amp를 이용한 적분기 구조의 Relaxation 타입 전압제어 발진기를 구현하고, 입력 전압 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 관찰하는 것이다. 이를 통해 전압으로 발진 주파수를 제어할 수 있는 VCO의 특성을 이해하고, 실제 회로 설계에 필요한 설계 기법을 익히는 것이 이번 실습...2024.10.13
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IC PBL2024.11.181. 반도체와 건설 환경 플랜트공학 1.1. 건설 중장비와 반도체의 관계 건설 중장비와 반도체의 관계는 다음과 같다. 건설 중장비에는 반도체 기술이 필수적으로 적용되고 있다. 먼저, 건설 중장비에 구비된 배터리가 방전되어 발생하는 시동 불능 현상을 방지하기 위한 배터리 방전 방지 시스템에 반도체가 사용된다. 이를 통해 건설 중장비의 배터리 시동성을 높일 수 있다. 또한 건설 중장비의 각종 센서 및 제어 시스템에도 반도체 기술이 적용된다. 건설기계의 작동 상태, 에너지 사용량, 운전자 안전도 등을 모니터링하고 제어하는 시스템에...2024.11.18
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전자공학실험 4장2024.10.151. BJT 기본 특성 1.1. 실험 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 ...2024.10.15
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전자공학실험 5장2024.10.151. BJT 바이어스 회로 1.1. 실험 개요 BJT 바이어스 회로 실험의 실험 개요는 다음과 같다. BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 즉, BJT 증폭기의 DC 동작점을 결정하는 바이어스 회로에 대해 학습하고, 실험을...2024.10.15
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MOSFET 증가형2024.11.121. 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.1. 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호는 다음과 같다. 증가형 MOSFET는 p형 기판 위에 제조되는데, 여기서 p형 기판은 소자(집적 회로인 경우에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다. 고농도로 도핑된 두 개의 n영역이 기판에 만들어져 있는데, 이 영역이 소스(source)와 드레인(drain) 영역이다. 기판의 표면 위에는 전기적인 절연 특성이 양호한 얇은 이산화 실리콘(SiO2) 층이 ...2024.11.12
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전자 6장 bjt2025.03.111. 전자 6장 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 1.1. 실험 목적 BJT의 종류와 단자를 구분하는 방법을 알아보고 alpha와 beta값을 구하여 출력특성을 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다. BJT는 바이폴라 접한 트랜지스터로 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류의 메커니즘에 관여하는 반도체 소자이다. NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터의 두 가지 구조가 있으며, 중앙의 단자는 베이스이고 외부층은 각각 콜렉터와 에미터이다. 트랜지스터는 전류를 증폭시키는데 쓰이는데, 작은 전류가 베이스에 인가되면 컬렉터단에서 증폭이 된다...2025.03.11
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bjt 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.03.251. 서론 1.1. BJT 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로의 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 차단영역, 포화영역, 활성영역(선형영역)의 3가지 동작 영역을 가진다. 활성영역에서는 최소의 왜곡을 가지는 증폭작용에 사용된다. 이를 위해 베이스-이미터 접합에는 순방향, 베이스-콜렉터 접합에는 역방향으로 DC 전압이 인가된다. 고정 바이어스는 비교적 간단한 구성을 가지지만, 전달비(β)와 온도에 민감하여 동작점이 불안정하다는 단점이 있다. 반면 전압 분배기 바이어스는 전달비가 아닌 저항 등의 회로 요소에 의존하므...2025.03.25