총 4개
-
전자공학응용 mosfet 기본2024.09.221. 실험 개요 1.1. 실험 목적 실험 9의 목적은 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하는 것이다. MOSFET은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 소자로, 게이트 전압을 변화시키면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 달라지면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해하고자 한다.실험 10의 목적은 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해 필요한 적절한 DC 바이어스를 알아보는 것이다. MOSFET 증폭기의 동작점은 DC ...2024.09.22
-
전자공학실험 mosfet2024.10.151. 실험 목적 1.1. MOSFET의 기본 동작 특성 확인 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 반도체 소자이다. MOSFET은 전하를 공급하는 소스 단자(Source), 전하를 받아들이는 드레인 단자(Drain), 전류의 양을 조절하는 게이트 단자(Gate), 기판의 역할을 하는 바디 단자(Body)로 구성되어 있다. 게이트 전압을 변화시키면 드레인과 소스 사이의 전류가 변화하면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 ...2024.10.15
-
current mirror2024.11.131. 실험 목적 및 과정 1.1. 실험 목적 1.1.1. 기준 전류/전압 소스로부터 바이어스를 제공하는 전류 미러 회로 연구 기준 전류/전압 소스로부터 바이어스를 제공하는 전류 미러 회로 연구는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분이다. 전류 미러 회로는 일정한 전류를 공급하기 위해 사용되며, 능동 소자를 이용해 구성함으로써 저항을 사용할 때보다 더 적은 면적을 차지하면서도 온도 변화에 강한 특성을 가지고 있다. 전류 미러 회로의 구조는 두 개의 MOSFET으로 이루어져 있다. 두 MOSFET의 gate와 source가 연결되...2024.11.13
-
TCAD2024.11.301. 서론 1.1. 구성 요소 구성 요소는 목표 설정, 분석, 설계, 평가로 이루어져 있다. 목표 설정에서는 NMOS 구조를 설계하여 VD=0.1V일 때 Vth값을 5V로 도출해내고, VD=1V일 때 ID> 5X10^-5가 되도록 설계하는 것이다. 분석에서는 Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping Profile, Oxide 두께, Gate 선폭을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 분석한다. 설계에서는 T-CAD 시뮬레이션인...2024.11.30