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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Common Emitter Amp2025.05.021. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 증폭기의 입력전압 감소를 위한 저항 설계, PSPICE를 이용한 회로 시뮬레이션, 출력파형 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합...2025.05.02
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A+받은 정류회로 결과레포트2025.05.101. 반파 정류회로 실험을 통해 다이오드 1개를 이용한 반파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기에서 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에서 다이오드의 도통 전압을 뺀 값이 된다. 또한 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차를 계산하였다. 2. 전파 정류회로 실험을 통해 다이오드 2개를 이용한 전파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기와 음의 반주기에서 각각 다른 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에...2025.05.10
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정전압 회로와 리미터2025.01.021. 전압 레귤레이터 전압 레귤레이터는 교류 전압을 직류 전압으로 전환하기 위해 사용했던 정류회로의 리플이 매우 크며 입력 전압이나 부하 저항에 따라 출력되는 전압이 크게 요동친다는 단점을 보완하기 위해 필요한 장치입니다. 또한 다양한 전압을 필요로 하는 전자기기 내에서, 정해진 전압을 일정하게 출력하기 위해 필요한 장치이기도 합니다. 전압 레귤레이터는 라인 레귤레이션 특성과 부하 레귤레이션 특성을 만족해야 합니다. PN 접합 다이오드와 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터의 동작 원리와 입력 전압 및 부하 전류 변화에 따른 출력...2025.01.02
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전자회로설계 및 실습10_설계 실습10. Oscillator 설계_예비보고서2025.01.221. Op-Amp을 이용한 Oscillator 설계 및 측정 Op-Amp을 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습한다. 2. Oscillator 설계 및 시뮬레이션 주어진 조건에 따라 Oscillator를 OrCAD PSPICE를 사용하여 설계하고, 설계한 Oscillator의 파형 및 주요 특성 값을 시뮬레이션을 통해 확인한다. 3. Feedback factor(β)의 영향 분석 Feedba...2025.01.22
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중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.04.291. RLC 직렬회로의 공진주파수 및 진동주파수 계산 RLC 직렬회로에서 공진주파수(ωo)와 진동주파수(ωd)를 계산하는 방법을 설명하였습니다. R = 500 Ω, L = 10 mH, C = 0.01 μF인 경우 ωo = 15915 Hz, ωd = 15914 Hz로 계산되었습니다. 2. RLC 회로의 과도응답 시뮬레이션 RLC 직렬회로에 0 ~ 1 V, 1 kHz, 듀티 사이클 50%의 사각파 입력을 인가했을 때의 과도응답을 PSpice 시뮬레이션으로 확인하였습니다. 부족감쇠(under-damped) 응답이 나타났습니다. 3. RL...2025.04.29
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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