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중앙대학교 전자회로설계실습 예비6. Common Emitter Amplifier 설계 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 과정에서 작성된 예비 6번째 실습 보고서입니다. 이 보고서에서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 회로 설계, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 실제 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭...2025.01.27
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Offset Voltage OP-Amp의 입력단자를 접지시키면 이상적인 경우 출력전압은 0V가 되어야 하지만, 실제 OP-Amp에는 Offset Voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아니다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 Open Loop Gain을 이용하는 것이 부정확하므로, 실제 회로를 구성하여 출력전압을 측정하고 이를 이용하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 사용한다. Offset Voltage 데이터시트에는 최소값이 없는 이유는 Offset Voltage가 작을수록 좋기 때문이며, 일...2025.01.11
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 6 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.011. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 Early effect를 무시한 상태에서 overall voltage gain 식을 이용하여 부하 저항 RL에 최대 전력이 전달되도록 RC를 결정하는 방법, gm을 구하는 방법, 바이어스 전압 및 전류를 계산하는 방법, 입력 저항 Rin을 구하는 방법, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 그리고 입력 저항 추가를 통한 선형성...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압의 최대값, 최소값, 증폭기 이득, 전체 전압 이득 등을 구했습니다. 또한 입력 신호 주파수 변화에 따른 주파수 특성을 분석하여 unity gain frequency와 3dB frequency를 확인했습니다. 이후 emitter 저항과 커패시터 값을 변경했을 때의 주파수 특성 ...2025.04.29
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