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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서의 목적은 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하는 것입니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 주파수 특성 그래프 작성, 3dB 주파수와 unity gain 주파수 측정 등의 내용이 포함되어 있습니다. 또한 증폭기 이득, 전압 이득 등의 특성 변화를 분석하고 그 이유를 설명하고 있습니다. 1. Common Emitter Amp...2025.04.27
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+6주차 결과보고서2025.01.121. 삼각파/사각파 발생기 실험 1에서는 삼각파/사각파 발생기 회로를 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교했을 때 오차가 감소했습니다. 오차의 주요 원인은 실험에 사용한 소자 값의 한계와 수동 측정 방식에 있었습니다. 2. 555 타이머 기반 LED 점멸기 - 비안정 모드 실험 2에서는 555 타이머를 이용한 LED 점멸기 회로를 비안정 모드로 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.12
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서52025.01.201. 슈미트 회로의 특성 슈미트 트리거 (=5 V)의 문턱 전압을 2.5 V로 설계하는 방법을 설명합니다. 문턱 전압 계산 공식을 이용하여 저항비를 1:1로 조정하면 원하는 문턱 전압을 얻을 수 있습니다. 실제 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 통해 2.42 V 부근에서 문턱 전압이 나타나는 것을 확인할 수 있습니다. 2. 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 공식을 도출합니다. 실습 이론에 나오는 식(8-3)과 식(8-5)를 연립하여 주파수 공식 f=1/2πRC를 도출할 수 있습니다. 3. 전압제어 발진기...2025.01.20
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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