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실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다. 이를 이용하면 별도의 ...2025.04.27
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부산대_응용전기전자실험2_예비보고서4_MOSFET [A+보고서]2025.01.291. MOSFET Buck Chopper MOSFET Buck Chopper는 전류의 ON-OFF를 반복하여 직류 또는 교류 전원으로부터 원하는 전압이나 전류를 만들어내는 전원 회로 제어 방식입니다. 스위칭 소자가 ON일 때 전류가 흐르고 OFF일 때 다이오드를 통해 전류가 흐르면서 출력 전압이 입력 전압보다 낮아지는 강압형 컨버터입니다. 인덕터의 전압 특성을 이용하여 출력 전압을 조절할 수 있으며, 적절한 인덕턴스와 스위칭 주파수 선정이 중요합니다. 2. MOSFET Boost Chopper MOSFET Boost Chopper는...2025.01.29
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 실험 1에서는 nMOS 정전류원 회로를 구성하고 RREF 값에 따른 IREF 전류를 측정하였다. 실험 결과 RREF가 200Ω일 때 IREF가 20mA에 가장 가까운 값을 가짐을 확인하였다. 또한 VX 변화에 따른 ISS 전류를 측정하여 VX가 0.7V 이상일 때 ISS가 거의 일정한 값을 유지함을 확인하였다. 이를 통해 channel length modulation 효과로 인해 실제 전류원 회로에서는 이상적인 정전류원 특성이 나타나지 않음을 알 수 있었다. 실험 2에서는 차동증폭기의...2025.01.21
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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MOSFET 예비보고서2025.01.051. MOSFET 벅 초퍼 MOSFET 벅 초퍼는 직류 전압과 전류의 크기를 변환할 수 있는 회로이다. MOSFET이 스위칭 온될 때 직류 전원 전압이 부하에 공급되고, MOSFET이 오프될 때 다이오드를 통해 전류가 흐른다. 출력 전압은 입력 전압과 MOSFET의 온 시간에 비례한다. 스위칭 제어 신호의 주파수를 변경하면 전류 리플은 감소하지만 출력 전압과 전류에는 큰 영향을 미치지 않는다. MOSFET 벅 초퍼의 전력 효율은 90% 이상이다. 2. MOSFET 부스터 초퍼 MOSFET 부스터 초퍼는 직류 전압을 높은 전압으로 변...2025.01.05
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구현하였고, 실험회로 2에서는 공통 소스 증폭기 2단과 소스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구현하였습니다. 각 회로에서 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 측정한 전압 이득을 분석하여 최소 전압 이득 요구사항을 만족하는지 확인하였습니다. 1. MOSFET...2025.01.15
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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