총 129개
-
A+ 전자회로설계실습_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.211. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2 KHz의 정현파이고, 오실로스코프로 직접 측정한 결과 peak to peak 전압이 200 ㎷이었다. 센서의 부하로 10 KΩ 저항을 연결한 후 10 KΩ 저항에 걸리는 전압을 측정하였더니 peak to peak 전압이 100 mV이었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Thevenin 전압은 200mV, 내부저항은 10kΩ임을 알 수 있다. 따라서 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려면 Func...2025.01.21
-
A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
-
중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
-
기초전자회로및실험2 -ALUs(Arithmetic logic units)를 이용한 n-bit 계산기 설계2025.05.101. 입력 입력은 기본적으로 10의자리 스위치와 1의 자리 스위치를 이용하여 각각 구현합니다. 스위치로 입력한 10진수의 값을 Decimal to Binary (74147) 소자를 이용해서 2진수로 변환하고, 이를 4bit adder(74283) 2개를 이용하여 구현한 8bit BCD to Binary를 통해 binary로 변환시켜 2진수 표현 입력 스위치에는 풀업 저항을 사용합니다. 2. 감가산기 계산기의 집적도를 고려하여 가산기와 감산기를 동시에 설계합니다. AND, OR, XOR 와 같은 기본 소자들로 FULL ADDER를 구...2025.05.10
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
-
중앙대 전자회로설계실습 결과1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 본 실험에서는 Op Amp를 이용하여 다양한 Amplifier 회로를 설계하고 분석하였다. 먼저 센서 구현을 위해 Function generator를 이용하여 정현파를 생성하고 오실로스코프로 측정하였다. 다음으로 Inverting Amplifier 회로를 설계하여 이득을 측정하고 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 또한 입력 범위와 주파수 응답 특성을 분석하였으며, 입력 임피던스 변화에 따른 출력 전압 변화를 관찰하였다. 실험 결과를 토대로 설계 목표와의 오차 원인을 분석하고...2025.01.27
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
-
전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
-
전자공학실험 20장 연산 증폭기 응용 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1과 같이 반전 증폭기를 구성하고, 입력 전압의 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 이득을 측정한다. 이상적인 연산 증폭기와 실제 연산 증폭기의 경우 입력과 출력 사이의 전달 함수를 구하고, PSpice 시뮬레이션을 통...2025.01.13
11 / 13
