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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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아날로그 및 디지털회로 설계 실습결과 보고서2025.01.061. RS 래치 RS 래치는 교차교합된 두 NOR 게이트로 만들어진 순차식 회로로, 기본 기억소자장치입니다. 입력 R이 1일 때 출력 Q는 0으로 리셋되고, 입력 S가 1일 때 출력 Q는 1로 셋됩니다. 두 입력 R과 S 모두 0인 경우에는 현재 상태의 Q와 ~Q값을 그대로 유지하게 됩니다. R과 S가 모두 1인 경우는 금지된 입력에 해당합니다. 2. Edge-triggered 플립플롭 Edge-triggered 플립플롭은 클록신호가 0에서 1로 또는 1에서 0으로 바뀌는 순간에만 입력을 샘플링합니다. Rising edge에서 클록...2025.01.06
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서102025.01.201. 7-segment/Decoder 진리표 7-segment/Decoder 진리표를 작성하였습니다. 입력 ABCD와 출력 abcdefg의 진리표를 제공하였습니다. 2. 불리언식 구하기 Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 Sum of product 또는 Product of sum 형태의 불리언 식을 구하였습니다. a, b, c, d, e, f, g 등의 불리언 식을 제공하였습니다. 3. 7-Segment 구동 회로 설계 Decoder와 7-segment를 이용한 7-segment 구동 회로를 설계하였습니다. Pspice 프로그램...2025.01.20
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+5주차 예비보고서2025.01.071. 필터의 종류와 특성 이 보고서에서는 필터의 종류와 특성을 이해하고, Pspice를 통해 필터의 주파수 응답을 확인하며, 실제 사용되는 특성의 필터를 설계하는 것을 목표로 합니다. 필터는 Passive Filter와 Active Filter로 나뉘며, 주파수 특성에 따라 LPF, HPF, BPF, BRF 등으로 분류됩니다. 필터의 특성을 이해하기 위해서는 주파수 영역에서의 전달함수 분석이 핵심이며, Cut off frequency, Bandwidth, Center frequency, Q-factor 등의 개념을 살펴봅니다. 2....2025.01.07
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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