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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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Op Amp의 특성측정 방법 및 integrator 설계2025.01.211. Offset Voltage 측정 Op Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하고 있습니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 두 입력단자를 접지했을 때의 출력전압을 측정하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 제시하고 있습니다. 또한 Op Amp의 Datasheet에서 Offset Voltage의 min, typ, max 값의 의미와 실제 Offset Voltage의 크기에 대해 추정하고 있습니다. 2. Offset Voltage 조정 Op Amp의 ...2025.01.21
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[기초전자실험 with pspice] 01 저항 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 저항 실험 실험에 사용한 장비 및 부품은 파워 서플라이, 멀티미터, 고정 저항 6개(1KΩ, 4.7KΩ, 15KΩ, 33KΩ, 100KΩ, 470KΩ), 가변 저항 1개(3KΩ)였다. 고정 저항의 저항값을 측정한 결과, 이론적인 1%의 오차 범위를 넘는 저항들이 있었다. 이는 저항 제조 과정에서 발생한 손상으로 인한 것으로 추정된다. 가변 저항 측정 실험에서도 오차가 발생했는데, 이는 멀티미터의 오차와 측정 시 손이 프로브에 닿은 것이 원인으로 보인다. 실험을 통해 저항의 컬러코드 읽는 법을 익힐 수 있었다. 1. 저항 실험 ...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 인덕터 인덕터의 종류와 특성을 배우고, 인덕터의 직렬 및 병렬연결 특성을 실험할 수 있다. 또한, 주파수 및 인덕터 용량에 따른 유도성 리액턴스의 변화를 실험할 수 있다. 인덕터는 코일이라고도 하며, 구리선과 같은 도선을 나선 모양으로 감아서 만든다. 코일에 교류전류가 흐르면 자계가 생기며 자계는 전류의 변화에 비례한다. 자계에 의해 전류 흐름을 방해하는 유도전압이 생기며, 이 유도전압은 전류 흐름을 방해하므로 '역기전력'이라고도 한다. 즉, 인덕터는 자계 및 유도전압의 형태로 에너지를 저장하는 소자로 볼 수 있다. 인덕터가 ...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 이번 실험에서는 테브난의 정리를 확인하기 위해 기본 회로와 테브난 등가회로를 구성하고 측정한 결과를 비교하였다. 기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압과 테브난 등가회로의 전압이 거의 비슷하였고, 부하저항에 흐르는 전류도 약간의 오차가 있지만 매우 유사하였다. 따라서 테브난의 정리를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 이번 실험을 통해 브레드보드를 이용한 회로 구성과 측정 방법에 대한 자신감도 얻게 되었다. 1. 테브난의 정리 테브난의 정리는 수학 분야에서 매우 중요한 정리입니다. 이 정리는 복소수 평면에서 해석 함수의...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 10 중첩의 원리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 중첩의 원리 실험 시 사용했던 장비 & 부품으로는 디지털 멀티미터, 전원 공급기, 브레드보드, 저항 270[Ω], 330[Ω], 470[Ω]이 있었다. 실험 결과 및 사진을 보면 실제 전압과 전류 측정값이 계산값과 유사한 것을 확인할 수 있다. 실험 회로에서 V1에 의한 전압/전류 측정값과 V2에 의한 전압/전류 측정값을 더하면 실제 전압/전류 측정값과 매우 비슷한 것을 알 수 있다. 즉, 직류전원 V1과 V2를 기준으로 키르히호프의 전압법칙과 전류법칙이 성립한다. 다만 약간의 오차가 있었는데, 이는 계산 과정에서 실수가 있었...2025.04.28
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[A+] 전자회로설계실습 3차 예비보고서2025.05.101. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 설계 시 부하저항 5 kΩ에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이고 리플 전압이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력전원의 크기와 커패시터의 크기를 계산하였습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 설계 결과를 검증하였습니다. 1. 전파정류회로 전파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 전자 회로입니다. 이 회로는 전력 공급 장치, 전...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.271. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Op Amp의 Offset Voltage 측정 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 유한한 크기의 Open Loop Gain을 고려하여 Offset Voltage를 측정하는 방법을 기술합니다. 또한 Data Sheet에서 Offset Voltage의 min, typ, max 값의 의미와 Offset Voltage 조정 방법에 대해 설명합니다. 2. Op Amp의 Slew Rate 측정 Op Amp의 Slew ...2025.01.27
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+5주차 예비보고서2025.01.071. 필터의 종류와 특성 이 보고서에서는 필터의 종류와 특성을 이해하고, Pspice를 통해 필터의 주파수 응답을 확인하며, 실제 사용되는 특성의 필터를 설계하는 것을 목표로 합니다. 필터는 Passive Filter와 Active Filter로 나뉘며, 주파수 특성에 따라 LPF, HPF, BPF, BRF 등으로 분류됩니다. 필터의 특성을 이해하기 위해서는 주파수 영역에서의 전달함수 분석이 핵심이며, Cut off frequency, Bandwidth, Center frequency, Q-factor 등의 개념을 살펴봅니다. 2....2025.01.07
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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