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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 2주차 결과레포트2025.05.101. DAQ 실습 myDAQ의 Function Generator, Oscilloscope 기능을 사용하여 Sine 파형, Square 파형, 전압, 전류, 저항, 다이오드 등을 측정하였다. 실험 결과를 통해 각 파형의 특성과 전압, 전류 측정 방법을 확인하였다. 2. PSPICE 시뮬레이션 OrCAD 프로그램을 사용하여 OP 시뮬레이션, DC 시뮬레이션, Parametric 시뮬레이션, Transient 시뮬레이션, FFT 시뮬레이션, AC 시뮬레이션, VPULSE 시뮬레이션 등을 수행하였다. 이를 통해 회로 구성 방법과 각 소자의...2025.05.10
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경희대 전기전자회로 보고서 HW22025.05.051. DC 전압, 저항 회로 시뮬레이션 문제[1]에서는 DC 전압과 저항으로 구성된 간단한 회로를 시뮬레이션하고 전압, 전류, 소비전력을 계산하는 방법을 학습했습니다. Pspice를 처음 사용해보면서 회로 구성 및 기본적인 사용법을 익혔고, 복잡한 회로 해석에도 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 2. DC Sweep 분석 문제[2]에서는 전원 전압을 변수로 설정하여 DC Sweep 분석을 수행했습니다. 이를 통해 전압, 전류, 소비전력이 전원 전압 변화에 따라 어떻게 변화하는지 확인할 수 있었습니다. 또한 Point...2025.05.05
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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아날로그 및 디지털회로 설계 실습결과 보고서2025.01.061. RS 래치 RS 래치는 교차교합된 두 NOR 게이트로 만들어진 순차식 회로로, 기본 기억소자장치입니다. 입력 R이 1일 때 출력 Q는 0으로 리셋되고, 입력 S가 1일 때 출력 Q는 1로 셋됩니다. 두 입력 R과 S 모두 0인 경우에는 현재 상태의 Q와 ~Q값을 그대로 유지하게 됩니다. R과 S가 모두 1인 경우는 금지된 입력에 해당합니다. 2. Edge-triggered 플립플롭 Edge-triggered 플립플롭은 클록신호가 0에서 1로 또는 1에서 0으로 바뀌는 순간에만 입력을 샘플링합니다. Rising edge에서 클록...2025.01.06
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+5주차 예비보고서2025.01.071. 필터의 종류와 특성 이 보고서에서는 필터의 종류와 특성을 이해하고, Pspice를 통해 필터의 주파수 응답을 확인하며, 실제 사용되는 특성의 필터를 설계하는 것을 목표로 합니다. 필터는 Passive Filter와 Active Filter로 나뉘며, 주파수 특성에 따라 LPF, HPF, BPF, BRF 등으로 분류됩니다. 필터의 특성을 이해하기 위해서는 주파수 영역에서의 전달함수 분석이 핵심이며, Cut off frequency, Bandwidth, Center frequency, Q-factor 등의 개념을 살펴봅니다. 2....2025.01.07
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