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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.211. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다. 1. Common Emitte...2025.01.21
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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[기초전자실험 with pspice] 04 옴의법칙 결과보고서 <학점 A+ 받음>2025.04.281. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 확인하고 전압과 전류의 관계, 저항에 따른 전류의 변화를 이해하였다. 실험 과정에서 전류 측정 방법에 대한 주의가 필요하다는 것을 깨달았다. 2. 전압-전류 관계 실험 결과에 따르면 전압이 증가할수록 전류가 증가하는 비례 관계를 확인할 수 있었다. 특히 3V에서 4.2193 mA, 9V에서 14.910 mA로 전압 3배 증가 시 전류도 약 3배 증가하는 것을 확인하였다. 3. 저항에 따른 전류 변화 저항값이 작을수록 전압 증가에 따른 전류 증가 폭이 크고, 저항값이 클수록 전류 증가 폭이 작...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 6. 위상 제어 루프(PLL)2025.04.291. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어 루프는 위상 검출기(Phase Detector), 루프 필터(Loop Filter), 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator)로 이루어져 있습니다. 전압 제어 발전기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 두 입력의 위상 차이를 가지고 전압 제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템입니다. 위상 제어 루프는 위상을 조절할 수 있다는 특징이 있으므로 주로 통신 분야에서 사용됩니다. 2. 위상 검출기 위상 검출기(Phase Detector)는 발진기의 입력과 출력 ...2025.04.29
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전자회로설계 및 실습2_설계 실습2. OP Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계_예비보고서2025.01.221. Offset Voltage OP Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 OP AMP에서는 두 입력단자를 접지하면 출력전압이 0V가 되지만, 실제 OP AMP에서는 내부에 offset voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아닙니다. 이 offset voltage를 측정하기 위해서는 이득이 100(V/V)와 1000(V/V)인 반전 증폭기를 설계하고, 두 입력단자를 접지한 상태에서 출력전압을 측정하여 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 offset voltage를 최소화하는 방법으로 가변저항을 ...2025.01.22
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전자회로설계실습 1차 예비보고서2025.05.101. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고 PSPICE로 그렸습니다. 센서의 출력전압을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier, Non-Inverting Amplifier, Summing Amplifier를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 수행하였습니다. 각 증폭기의 설계과정, 회로, 출력파형을 제시하였고 주파수 특성 분석 결과도 포함하였습니다. 또한 증폭기 간 비교와 실험 결과도 기술하였습니다. 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 Op Amp...2025.05.10
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전자회로설계실습 2차 예비보고서2025.05.101. OP Amp의 Offset Voltage 측정 OP Amp의 Offset Voltage를 측정하기 위해 Gain이 100 (V/V)와 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 두 입력단자를 접지하여 출력전압을 측정한다. 이를 통해 Offset Voltage를 계산할 수 있다. Offset Voltage를 최소화하기 위해 Offset-nulling 단자에 가변저항을 연결하여 조정할 수 있다. 2. OP Amp의 Slew Rate 측정 OP Amp의 Slew Rate를 측정하기 위해 Voltage...2025.05.10
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서22025.01.121. Op Amp의 특성 측정 이번 실험에서는 이상적인 op amp가 아닌 경우 발생하는 offset voltage와 slew-rate에 대하여 직접 측정하고 이론값과 비교를 진행해보았다. 실험결과는 이론값과 크게 다르지 않았으나 실험 4.1(B)에서 출력파형이 크게 요동쳐 적당한 평균 값을 찾기가 어려웠으며 실험값으로 구한 offset voltage의 값도 차이가 있음을 확인할 수 있었다. 또한 실험 4.2(A)에서 osilloscope와 연결된 cable의 문제로 출력 파형이 제대로 나오지 않아 어려움이 있었다. 노후된 기계들로...2025.01.12
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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