총 123개
-
전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
-
SRAM 설계 프로젝트2025.01.051. SRAM 설계 SRAM(Static Random Access Memory)은 메모리 소자 중 하나로, 전력이 공급되는 동안 데이터를 유지할 수 있는 메모리입니다. 이 프레젠테이션에서는 SRAM 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. SRAM 셀, 프리차지 회로, 디코더, 센스 앰프, 라이트 드라이버 등 SRAM 설계의 주요 구성 요소들을 설명하고 있습니다. 또한 SRAM 셀의 특성과 동작 원리, 그리고 시뮬레이션 결과를 보여주고 있습니다. 1. SRAM 설계 SRAM(Static Random Access Memory)은 메모리 ...2025.01.05
-
아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서72025.01.171. 논리 게이트 회로 구현 논리 게이트 소자를 이용하여 NAND, NOR, XOR 게이트 회로를 구현하고 진리표와 실험 결과를 비교하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 또한 NAND, NOT 게이트를 사용하여 3입력 NAND 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 2. 게이트 회로의 시간 지연 측정 AND 게이트와 OR 게이트를 직렬로 연결하고 구형파를 입력하여 시간 지연을 측정하였다. 게이트 개수가 증가할수록 시간 지연이 길어지는 것을 확인하였다...2025.01.17
-
아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 4주차2025.01.171. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인한다. 슈미츠 회로의 특성을 실험하고, 시뮬레이션 도구를 이용하여 슈미트 트리거 회로를 설계한다. 또한 전압제어 발진기 회로를 설계하고 출력 파형을 관찰하며, 전압 변화에 따른 주파수 변화를 그래프로 나타낸다. 중심 주파수 2kHz가 되도록 회로를 설계하고, 슈미츠 회로의 저항비와 커패시터 값 변화에 따른 출력 파형 변화를 관찰한다. 1. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(V...2025.01.17
-
아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 13주차2025.01.171. Stopwatch 설계 이 실습에서는 Stopwatch 설계를 통해 카운터, 분주회로, 클럭 회로, 디코더 등 다양한 디지털 회로 구성요소에 대한 이해를 높이고 Datasheet를 읽고 분석하는 능력과 원하는 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하는 것이 목적입니다. 실습에 필요한 부품과 장비가 자세히 나열되어 있으며, 실습 계획서에 따라 단계별로 회로 설계를 진행하고 있습니다. 1. Stopwatch 설계 Stopwatch 설계는 사용자 경험과 편의성을 고려해야 합니다. 직관적인 인터페이스와 기능이 중요하며, 시간 측정, 랩 ...2025.01.17
-
중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서102025.01.201. 7-segment/Decoder 진리표 7-segment/Decoder 진리표를 작성하였습니다. 입력 ABCD와 출력 abcdefg의 진리표를 제공하였습니다. 2. 불리언식 구하기 Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 Sum of product 또는 Product of sum 형태의 불리언 식을 구하였습니다. a, b, c, d, e, f, g 등의 불리언 식을 제공하였습니다. 3. 7-Segment 구동 회로 설계 Decoder와 7-segment를 이용한 7-segment 구동 회로를 설계하였습니다. Pspice 프로그램...2025.01.20
-
중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서42025.01.201. Wien bridge 회로 설계 주어진 Wien bridge 회로에서 V+와 V-의 관계식을 구하고, 이 관계식을 이용하여 1.63 kHz에서 발진하는 Wien bridge 회로를 설계하였습니다. 전압 분배 공식을 사용하여 관계식을 도출하였고, 이를 통해 976.4Ω의 저항 값을 사용해야 한다는 것을 확인하였습니다. 2. Wien bridge oscillator 설계 발진 조건을 만족하는 R1, R2 값을 찾아 Wien bridge oscillator를 설계하였습니다. R1=5kΩ, R2=10kΩ을 사용하여 회로를 구성하였고,...2025.01.20
-
전기전자공학개론 ) 회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자.2025.01.141. 저항 저항은 전기 회로의 기본적인 구성 요소 중 하나로, 그 기능과 중요성은 전기와 전자 분야에서 광범위하게 쓰이고 있다. 이 소자의 주된 역할은 회로 내에서 전류의 흐름을 제한하고, 이 과정에서 전력을 소비하는 것이다. 전기 저항의 작동 원리는 옴의 법칙에 의해 설명될 수 있으며, 이 법칙은 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 정의한다. 저항은 또한 회로 내에서 필요 이상의 전류가 흐르는 것을 방지함으로써, 과도한 전류로 인해 발생할 수 있는 손상으로부터 회로를 보호하는 데 중요한 역할을 한다. 2. 인덕터 인...2025.01.14
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비6. Common Emitter Amplifier 설계 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 과정에서 작성된 예비 6번째 실습 보고서입니다. 이 보고서에서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 회로 설계, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 실제 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭...2025.01.27
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
2 / 13
