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서강대학교 22년도 전자회로실험 7주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기 이번 실험에서는 BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인하였습니다. A급 증폭기는 트랜지스터가 360도 동안 순방향 바이어스되어 전류가 흐르는 증폭기 방식입니다. 실험을 통해 A급 증폭기의 입출력 특성을 확인할 수 있었습니다. 2. 푸시풀 전력 증폭기 푸시풀 증폭기는 npn과 pnp BJT를 이용한 두 개의 에미터 팔로어가 결합된 증폭기입니다. 입력 신호의 범위에 따라 npn 또는 pnp가 턴온되어 gain이 1에 가까운 팔로잉 동작을 하게 됩니다. 실험을 통해 푸시풀 증폭기...2025.01.12
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 72025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 시뮬레이션하여 모든 노드의 전압과 브랜치의 전류가 나타난 회로도와 출력파형을 제출합니다. 출력전압의 최대값, 최소값, 피크-피크 값을 확인하고 주파수 특성을 분석합니다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 Comm...2025.01.04
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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중앙대학교 전자회로설계실습 7주차 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 7주차에 진행된 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석한 결과가 제시되어 있습니다. 구체적으로 입력 신호 주파수 변화에 따른 출력 전압의 최대값, 최소값, 전압 이득 등의 변화를 확인하였고, RE 및 CE 커패시터 값 변화에 따른 주파수 응답 특성의 변화도 분석하였습니다. ...2025.01.12
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[전자회로응용] Two stage CS amplifier circuit 결과레포트 (만점)2025.01.281. Two stage CS amplifier circuit 이 실험에서는 Two stage CS amplifier circuit을 구현하고 이론적으로 계산한 전압이득과 시뮬레이션 및 측정값을 비교하는 것이 목표입니다. 1단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)이고, 2단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)입니다. 따라서 전체 전압이득은 1단과 2단의 전압이득을 곱한 값이 됩니다. Multisim과 MyDAQ을 사용하여 회로를 구성하고 Oscilloscope로 입출력 파형을 확인하여 이론값과 비...2025.01.28
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전자회로에서 발생하는 병목 현상에 대해 기술하시오2025.05.091. 전자회로 병목 현상 전자 회로에서 발생하는 병목 현상은 특정 구간에서 전기 신호의 흐름이 차단되어 신호의 전송이 느리거나 차단되는 현상을 말한다. 이는 전기 저항, 전기 용량, 증폭기 특성, 회로 크기 등의 요인으로 인해 발생할 수 있다. 전자 회로를 설계할 때는 이러한 병목 현상을 고려하여 최적의 회로를 구성해야 한다. 2. 전기 저항과 병목 현상 전기 저항은 전기 신호의 전송 속도를 늦추는 주요 요인 중 하나이다. 전기 신호는 전기 저항의 존재로 인해 전송 속도가 느려지기 때문에, 전자 회로에서 전기 저항을 최소화하는 것이...2025.05.09
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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