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[전자공학응용실험]10주차_6차실험_실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 전압 이득 계산 PSpice 계산값에서는 VDD 에 5V 를 인가하였으며, pMOS 소자를 다른 것을 사용하였으므로 DC bias 값이 다르게 나와 전압 이득이 다르게 나오게 되었다. 2. 출력 전압 왜곡 출력 전압의 크기가 크게 되면 Bias point 내에서 swing 하는 것이 아닌 bias point 를 벗어나 swing 하게 되어 출력 파형이 잘리게 되는 clamping 현상이 발생하여 왜곡이 일어나게 된다. 1. 전압 이득 계산 전압 이득 계산은 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 전압 이득은 입력 전압과 ...2025.01.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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전자공학응용실험 ch18 증폭기의 주파수 응답특성 예비레포트 (pspice 및 이론, 예비보고사항 모두 포함)2025.05.031. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 이득 대역폭 곱의 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로 및 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하면 드레인 단자에서의 전류 방정식과 게이트 단자에서의 전압...2025.05.03
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서12025.01.201. High-Pass Filter 설계 설계실습 계획서1-3-1에서는 초전형 적외선 센서(RE200B)와 증폭기 사이에 신호를 전달하는 High-Pass Filter(DC-block, 3-dB freq.=5 Hz)를 R과 C를 이용하여 설계하는 내용이 다루어졌습니다. 주어진 C 값 10uF와 3dB 주파수 5Hz를 이용하여 R 값을 3.183kΩ으로 계산하였습니다. 2. 2-stage Op-amp 반전증폭기 설계 1-3-2에서는 적외선 센서의 출력신호를 증폭시키기 위해 2-stage Op-amp 반전증폭기를 설계하였습니다. 각 반...2025.01.20
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[전자공학응용실험] MOSFET 다단 증폭기 예비레포트2025.04.261. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 실험에서는 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워 증폭기를 연결한 2단 증폭기와 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기를 구현하고 특성을 분석한다. 임피던스 매칭이 중요하며, 부하 저항이 작은 경우 출력 임피던스가 작은 소오스 팔로워를 사용하는 것이 유...2025.04.26
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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