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에너지변환실험 A+레포트_차등증폭기2025.01.131. 단일입력 차동 증폭기 단일입력 차동 증폭기의 출력파형을 입력파형과 비교하고, 위상관계를 살펴본다. 서로 반대의 위상을 갖거나, 차동모드인 두 입력에 대한 차동 증폭기의 출력파형을 관찰하고, 입력파형과의 위상관계를 살펴본다. 2. 차동 증폭기의 출력파형 두 입력신호에 대한 차동 증폭기의 출력파형을 관찰한다. 3. 차동 증폭기의 전압이득 차동 증폭기의 전압이득을 확인한다. 4. 차동 증폭기의 구조 차동 증폭기는 두 개의 입력과 하나의 출력을 갖는 두 개의 트랜지스터로 구성되어 있다. 트랜지스터와 컬렉터의 부하저항으로 브리지를 구성...2025.01.13
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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[전자공학응용실험]7주차_5차실험_실험 15 다단 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기의 개념과 등가회로를 설명하고, 다단 증폭기의 전압 이득 계산 방법을 제시하였습니다. 또한 작은 부하 저항을 구동하기 위한 2단 및 3단 증폭기 구성 방법을 설명하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 특성 공통 소스 증폭기, 소스 팔로워 증폭기, 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 특성을 정리하였습니다. 이를 바탕으로 다단 증폭기 설계 시 고려해야 할 사항을 설명하였습니다. 3. 2단 증폭기 설계 공통 소스 증폭기와 소스 팔로워를 연결한 2단 증폭기 회로를 제시하고, 이 회로의...2025.01.29
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하였습니다. 주요 결과는 다음과 같습니다. 70Hz~55kHz 범위에서 전압 이득은 8.8V/V로 측정되었고, 17Hz와 77kHz에서 전압 이득이 감소하는 것을 확인하였습니다. 1MHz까지는 전압 이득 측정이 잘 되었지만 10MHz를 초과하는 영역과 50Hz 미만의 영역에서는 측정이 어려웠습니다. 이는 MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하는 것으로 추정됩니다. 이득 대역폭 곱은 큰 폭의 변화 없이 거의 일정한 것...2025.01.02
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 5주차 결과레포트2025.05.101. Inverting amplifier 실험 결과 그림1과 같이 Inverting amplifier 회로를 빵판에 구성하였다. 저항 을 사용하였으며 저항 는 47과 150k 두가지를 사용하였다. 또한 myDAQ를 이용하여 Op-amp의 전원단자 , 에 각각 15V와 -15V를 걸어주었다. 입력 전원은 진폭 0.1V (=0.2)와 주파수 1kHz의 교류 전원으로 설정하였다. 실험 결과 매우 작은 오차율이 나왔으며 입력 파형과 출력 파형이 서로 반대인 것을 확인할 수 있었다. Bode plot 분석 결과 특정 주파수보다 커지면 gai...2025.05.10
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Feedback Amplifier2025.05.021. 피드백 증폭기 이 보고서의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. Series-Shunt 구조와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하여 입출력 특성을 확인하는 것이 주요 내용입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, MOSFET, Op Amp, LED, 저항 등이 필요합니다. 설계 실습 계획서에는 Series-Shunt 피드백 회로 설계와 Series-Series 피드백 회로 설계 방법이 자세히 설명되어 ...2025.05.02
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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