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MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 9주차2025.05.041. RC 회로 첫 번째 실험은 RC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 같았다. RC 회로의 시정수는 R×C 이다. 2. LC 회로 두 번째 실험은 LC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 대부분 같았다. 68Ω일 때 가장 큰 유효숫자의 값이 달랐지만 시정수 자체가 매우 작은 것을 감안하면, 거의 같은 값으로 볼 수 있다. LC 회로의 ...2025.05.04
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중앙대 Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.05.051. Gain Gain은 출력이 입력과 닮은꼴 일 때만 의미가 있다. 그러나 입력전압이 10 mVpp인 경우 출력파형이 왜곡(distortion) 되므로 gain의 의미가 없어진다. 2. 입력신호 크기 감소 입력신호의 크기를 줄이기 위하여 단자와 접지 사이에 50 Ω보다 작은 저항을 연결한 회로에 대하여 전압 이득이 95% 이상이 되도록 저항을 PSPICE로 구한다. 이 저항과 function generator 출력저항 50 Ω은 voltage divider가 되어 증폭기의 입력전압이 낮아지므로 overall voltage gain...2025.05.05
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다이오드 종류2025.05.151. 버랙터 다이오드 버랙터 다이오드는 역방향 바이어스의 전압 크기에 따라 접합 커패시턴스 용량이 변화하는 다이오드로 가변 캐퍼시턴스 다이오드라고 할 수 있습니다. 버랙터 다이오드는 기본적으로 공핍층 때문에 발생된 커패시턴스를 이용하는 역방향 바이어스된 PN 접합 다이오드입니다. 역방향 바이어스에 의해 생성된 공핍층은 절연 특성 때문에 캐퍼시턴스의 유전체와 같은 역할을 합니다. 버랙터 다이오드는 여러 특성을 가지며, 다른 다이오드에 비해 훨씬 적은 노이즈를 가지고 크기가 매우 작고 가벼워 비용이 저렴하며 높은 안정성 또한 가지고 있...2025.05.15
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 3장 연습문제 풀이2025.01.021. 특수 목적 다이오드 제시된 문제에서는 특수 목적 다이오드인 제너 다이오드의 동작 원리와 특성을 다루고 있습니다. 문제 1에서는 제너 다이오드의 부하 전류와 제너 전류를 계산하고, 최소 부하 저항을 구하는 문제입니다. 문제 2와 3에서는 제너 다이오드의 최소 동작 전압과 최소값을 구하는 문제입니다. 문제 4에서는 제너 전압을 유지하기 위한 부하 저항 값 조정 문제입니다. 문제 5와 6에서는 교류 신호에서 제너 다이오드와 일반 다이오드의 동작을 설명하고 있습니다. 문제 7과 8에서는 제너 정전압 작용이 유지되기 위한 조건과 최소/...2025.01.02
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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전자회로설계실습 실습 8 결과보고서2025.01.041. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 본 실습에서는 그림 1의 회로를 breadboard에 구현하고, 전원 공급 장치를 연결하여 MOSFET M1과 M2의 VGS, VDS를 측정하였습니다. 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 기준 전류 IREF와 출력 전류 IO를 계산하였습니다. 대부분의 측정값이 일정 오차 범위 내에서 정상적으로 출력되었지만, 일부 차이가 발생한 이유에 대해서는 추가적인 분석이 필요할 것으로 보입니다. 1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror는 전자 회로에...2025.01.04
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.211. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다. 1. Common Emitte...2025.01.21
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)2025.01.291. 전류원 (Current Source) 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 (Current Mirror) 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫...2025.01.29
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