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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습11_설계 실습11. Puch-Pull Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기의 Dead Zone과 Crossover distortion 현상을 파악하고 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. PSpice 시뮬레이션을 통해 입출력 transfer characteristic curve와 입출력 파형을 확인하여 Dead Zone과 Crossover distortion 현상을 이해한다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기 출력을 OP Amp의 (-)...2025.01.22
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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[A+, 에리카] 회로이론응용및실험레포트 3. Capacitor 및 Inductor의 특성(과도상태 특성)2025.05.151. 함수발생기 함수발생기는 그 명칭과 같이 여러 가지 형태의 함수를 발생시키고 이를 전압 형태로 Output 단자를 통해 출력하는 장치이다. 함수발생기가 발생시킬 수 있는 함수는 sine, square, ramp, pulse 등이 있다. 2. 오실로스코프 오실로스코프(oscilloscope)는 진동(Oscillation)과 보는 기기(Scope)가 합쳐져 만들어진 합성 어로, 시간에 따른 입력 전압의 변화를 화면에 출력하는 장치이다. 즉, 시간에 따라 변화하는 신호를 주기적이고 반복적인 하나의 전압 형태로 파악할 수 있다. 일반적...2025.05.15
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다이오드 종류2025.05.151. 버랙터 다이오드 버랙터 다이오드는 역방향 바이어스의 전압 크기에 따라 접합 커패시턴스 용량이 변화하는 다이오드로 가변 캐퍼시턴스 다이오드라고 할 수 있습니다. 버랙터 다이오드는 기본적으로 공핍층 때문에 발생된 커패시턴스를 이용하는 역방향 바이어스된 PN 접합 다이오드입니다. 역방향 바이어스에 의해 생성된 공핍층은 절연 특성 때문에 캐퍼시턴스의 유전체와 같은 역할을 합니다. 버랙터 다이오드는 여러 특성을 가지며, 다른 다이오드에 비해 훨씬 적은 노이즈를 가지고 크기가 매우 작고 가벼워 비용이 저렴하며 높은 안정성 또한 가지고 있...2025.05.15
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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실험 05_BJT 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 가장 기본적인 바이어스 회로로, 저항 R_B1 또는 R_B2의 변화에 따라 V_BE 전압과 I_C의 변화가 심...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 16 미분회로와 적분회로(미적분회로) 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 미분회로 실험1,2는 미분회로 실험이다. Pspice 시뮬레이션과 같이 실험1에서 RC미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 실험2에서도 마찬가지로 RL미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 2. 적분회로 실험3,4는 적분회로 실험이다. 실험3또한 시뮬레이션 한 것과 같이 RC적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의 적분파형이 출력되는 것을 볼 수 있다. 또한 실험4를 통해 RL적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의...2025.04.28
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