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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH3. 브리지정류와 평활회로 실험보고서2025.05.051. 브리지정류 회로 브리지정류 회로는 전파정류 회로로 가장 많이 사용되고 있는 회로이다. 브리지정류는 교류전압이 (+)인 구간에서 도통되는 다이오드와 (-)인 구간에서 도통되는 다이오드를 함께 연결하여 항상 일정한 방향으로 전압이 걸리고 전류가 흐르게 하는 회로이다. 브리지 다이오드 전파정류 출력전압의 평균값과 주파수는 변압기의 중간탭을 이용한 전파 정류회로의 평균값, 주파수와 같으며, 입력전압으로부터 2VDO만큼 전압 강하가 된 출력이 생성된다. 2. 평활 회로 브리지 전파 정류회로에서 정류된 파형을 푸리에 변환시켜보면 많은 교...2025.05.05
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서2 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp의 특성측정 방법 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로를 설계, 구현, 측정, 평가하였습니다. Offset voltage 측정 방법으로 이상적인 Op-Amp를 사용하여 100 Hz에서 Gain이 100 (V/V), 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier를 설계하고, 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하는 수식을 제출하였습니다. 또한 Non-inverting amplifier의 gain을 이용하여 offset voltage를 측정하는 방법을 기...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH2. 반파정류와 전파정류 실험보고서2025.05.051. 반파정류 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 양(+)의 주기는 도통되고 음(-)의 주기는 차단시킴으로써 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사용하면 출력전압의 평균값이 Vm/π이 되지만, 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 전압이 인가되어야 전류가 도통되므로 전압강하가 발생하여 이론값과 차이가 난다. 2. 전파정류 전파정류는 교류의 전원이 음(-)의 주기일때도 양(+)의 주기일 때와 같은 방향의 전류가 부하에 흐르게 함으로써, 모든 주기에서 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사...2025.05.05
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