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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 3주차 Voltage Regulator 설계2025.01.121. 전해콘덴서 전해콘덴서는 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성한다. 이때 실습계획서에서 설계한 값을 사용한다. 2. 전압 조정 Function generator를 조정하여 A와 B 사이의 전압파형이 실습계획서에서 구한 값이 되도록 한다. 1. 전해콘덴서 전해콘덴서는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전해콘덴서는 전압 평활화, 바이어스 전압 제공, 결합 및 차단 등의 기능을 수행합니다. 전해콘덴서는 극성이 있어 올바른 극성으로 연결해야 하며, 과전압이나 과전류에 주의해야 합니다...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서72025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실험은 이전 설계실습을 보완하기 위해 ∈ 을 연결한 2차 설계 common emitter amplifier의 주파수 특성과 주파수에 따른 overall gain에 대해 알아보았다. 2차 설계 common emitter amplifier의 Base, Emitter의 Voltage의 오차율 약 1% 미만으로 작은 오차율을 보였지만, base current는 19.95%의 오차율을 보였다. 이는 BJT의 non-linear 특성으로 인한 결과라고 예상한다. 특히 m a...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_결과보고서2025.01.221. 센서 출력 신호 증폭 본 실험에서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 센서 출력 신호를 10 kΩ 저항과 Function Generator를 이용하여 구현하고, 오실로스코프로 측정한 결과 예상과 다른 출력 전압이 나왔다. 이는 실제 저항값과 이론값의 차이로 인한 것으로 분석되었다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier를 설계하고 측정한 결과, 저항값 차이로 인...2025.01.22
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서 2. Switching Mode Power Supply (SMPS)2025.04.291. SMPS(Switching Mode Power Supply) SMPS는 반도체 스위치 소자의 on-off 시간을 조절하여 출력을 안정화시킨 직류 안정화 전원 장치입니다. 고효율, 소형 및 경량화가 가능하여 다수의 전자기기 및 장비 등에 사용되는 중요한 장치입니다. DC-DC 컨버터에 있어 부품의 기생 요소에 의해 출력전압의 저하가 발생하면 안정화 전원으로서의 응용이 곤란하므로 PWM 방식을 채택한 제어 회로를 이용하여 출력전압을 안정화시켜줍니다. 2. PWM 제어 회로 PWM 제어 회로를 구성하여 톱니 파형과 출력 파형을 확인...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.04.301. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하여 릴레이 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. BJT 2N3904를 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, BJT가 포화 영역에서 동작하도록 회로 파라미터를 설정하는 방법을 설명합니다. 또한 MOSFET 2N7000을 이용한 LED 구동 회로를 설계하고, MOSFET의 트라이오드 영역에서의 동작 특성을 활용하여 ...2025.04.30
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기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험하였다. 직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산하고 측정하였다. 설계 과정에서 트랜지스터 규격과 회로의 동작 조건을 상세히 정의하였다. 실제 회로를 구성하기 전에 컴퓨터를 이용한 설계를 수행하고 테스트하였다. 2N3904 트랜지스터를 사용하였으며, 회로는 VCC = 10V, Av = 100 (최소값), Zi = 1kΩ (최소값), Zo = 10kΩ (최대값), 교류 출력 전압 스윙 = 3Vp-p (최대값), 부하 저항 RL = 10kΩ (최소값)의 특성을 가져야 한...2025.04.30
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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