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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
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전자회로설계실습 3번 예비보고서2025.01.201. 전자회로설계실습 전자회로설계실습 과정에서 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다룹니다. 이를 위해 필요한 실습준비물과 설계실습 계획서를 포함하고 있습니다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 교류전원을 직류전압으로 변환하는 회로입니다. 이 보고서에서는 Bridge 방식 전파정류회로에 커패시터와 부하저항을 병렬로 연결한 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 전압강하, 리플 전압 등의 특성을 계산하고 PSPI...2025.01.20
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서92025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 실습 4.1(A), (B)에서 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력저항을 1㏀로, 부하저항을 1㏀ 저항으로 제작하여 입력전압을 0V부터 6V까지 1V씩 증가시키며 출력전압을 측정한 후, 입력저항 10㏀, 부하저항 100Ω으로 교체하여 같은 방식으로 입력전압을 증가시키며 출력전압을 측정하고 두 측정값을 비교해 보았다. 두 실습의 출력전압을 비교해본 결과, 입력저항과 부하저항을 바꾸었을 때 gain과 출력전압의 차이가 아주 작았다. 이것을 통해, 식 × 에서 알 수 있듯...2025.01.12
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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전자회로 설계실습2 A+ 레포트 에리카2025.01.231. Voltage Regulator 설계 Voltage Regulator 설계에 대한 내용입니다. 기초 Voltage Regulator 설계, Error amplifier, Pass transistor, PMOS-type Voltage Regulator 구조 등을 다루고 있습니다. 목표 스펙으로 VIN = 5V, Vout = 3V, Vref = 1.5V, Load Current = 1mA, Cout = 1uF, Bias Current 10uA 등을 제시하고 있습니다. 전자회로 교과서의 기본 differential amp를 erro...2025.01.23
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_결과보고서2025.01.221. 센서 출력 신호 증폭 본 실험에서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 센서 출력 신호를 10 kΩ 저항과 Function Generator를 이용하여 구현하고, 오실로스코프로 측정한 결과 예상과 다른 출력 전압이 나왔다. 이는 실제 저항값과 이론값의 차이로 인한 것으로 분석되었다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier를 설계하고 측정한 결과, 저항값 차이로 인...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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