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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서92025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 실습 4.1(A), (B)에서 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력저항을 1㏀로, 부하저항을 1㏀ 저항으로 제작하여 입력전압을 0V부터 6V까지 1V씩 증가시키며 출력전압을 측정한 후, 입력저항 10㏀, 부하저항 100Ω으로 교체하여 같은 방식으로 입력전압을 증가시키며 출력전압을 측정하고 두 측정값을 비교해 보았다. 두 실습의 출력전압을 비교해본 결과, 입력저항과 부하저항을 바꾸었을 때 gain과 출력전압의 차이가 아주 작았다. 이것을 통해, 식 × 에서 알 수 있듯...2025.01.12
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전자회로설계실습 실습 7 결과보고서2025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실습을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 관찰하였습니다. 주파수를 변화시키면서 입력, 출력 전압과 전압 이득을 측정하였고, 커패시터 값을 변경하여 주파수 응답 특성의 변화를 확인하였습니다. 저주파 영역에서는 측정값과 시뮬레이션 값의 오차가 크게 나타났는데, 이는 저주파 신호에 고주파 노이즈가 섞여 정확한 측정이 어려웠기 때문입니다. 하지만 대역폭 영역에서는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. Common Em...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 9주차 Feedback Amplifier 설계2025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변경하여 출력전압을 비교 분석하였다. 전원전압이 출력전압의 최대값에만 영향을 주는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전류를 측정하였다. 피드백 저항 값을 변경하여 출력전류를 비교 분석하였다. 피드백 저항 값 변화에 따라 출력전류가 변화하는 것을 확인하였다. 3. 구...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서32025.01.121. 전자회로설계실습 이 보고서는 전자회로설계실습 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기를 설계하였습니다. 실험 결과를 오실로스코프로 확인하고 이론값과 비교하여 오차 원인을 분석하였습니다. 또한 부하저항 변화에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하여 부하저항과 출력전압의 관계를 도출하였습니다. 2. 브리지 정류회로 이 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 ...2025.01.12
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET의 스위치 기능을 이용하여 LED를 on/off시키는 회로를 설계하고 구현하였다. BJT의 경우 emitter에 LED를 연결하거나 inverter 회로를 구성하여 입력 전압에 따라 LED가 켜지고 꺼지는 것을 확인하였다. MOSFET의 경우 triode 영역에서 동작하도록 설계하여 LED를 구동하였고, MOSFET의 커패시터 특성을 이용한 실험도 진행하였다. 실험 결과 이론값과 실측값 사이에 최대 36%의 오차가 발생하였는데, 이는 소자의 특...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서1 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서는 Op Amp를 이용한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier 설계 및 구현, 측정, 평가를 다루고 있습니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 증폭기를 설계하였습니다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier의 설계 과정, 시뮬레이션 결과, 측정 결과 등을 자세히 기술하고 있습니다. 또한 두 증폭기의 장단점을 비교하고 Summing Am...2025.05.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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