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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 9 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.05.011. Series-Shunt 피드백 회로 설계 Series-Shunt 피드백 회로를 설계하고 시뮬레이션을 통해 입출력 transfer characteristic curve를 확인했습니다. Op amp의 이득이 충분히 크다고 가정하면 입력 임피던스는 무한대, 출력 임피던스는 0에 가까운 값이 되어 입력 전압과 피드백 전압이 같아지게 됩니다. 따라서 출력 전압은 입력 전압과 피드백 저항 비에 의해 결정됩니다. 시뮬레이션 결과 출력 전압이 입력 전압의 2배가 되는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Series-Series 피드백 회로 설...2025.05.01
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 4주차2025.05.041. PSpice 프로그램 사용법 PSpice는 ORCAD라고도 불리며 노트북으로 이용할 수 있는 전자설계 자동화 소프트웨어 도구입니다. 전자회로도나 인쇄회로기판 등을 설계하기 위해 전자회로 설계 공학자나 전자공학 기술자들에 의해 사용됩니다. 캡처, 피스파이스, 피시비 에디터 등 세 가지 주요 어플리케이션으로 구성됩니다. 2. 단순 전압/전류 분석 실제 회로 구성 결과 측정된 v1의 전압은 2.71V, v2의 전압은 2.02V, I의 전류는 0.0576mA였습니다. PSpice에서는 v1의 값이 2.667V, v2의 값이 2.000...2025.05.04
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 9주차 Feedback Amplifier 설계2025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변경하여 출력전압을 비교 분석하였다. 전원전압이 출력전압의 최대값에만 영향을 주는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전류를 측정하였다. 피드백 저항 값을 변경하여 출력전류를 비교 분석하였다. 피드백 저항 값 변화에 따라 출력전류가 변화하는 것을 확인하였다. 3. 구...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서32025.01.121. 전자회로설계실습 이 보고서는 전자회로설계실습 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기를 설계하였습니다. 실험 결과를 오실로스코프로 확인하고 이론값과 비교하여 오차 원인을 분석하였습니다. 또한 부하저항 변화에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하여 부하저항과 출력전압의 관계를 도출하였습니다. 2. 브리지 정류회로 이 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 ...2025.01.12
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. DC Power Supply DC Power Supply는 직류전압을 공급하는 회로를 만들 때 중요한 계측기이다. 따라서 DC Power supply를 이해하는 것이 중요하다. 변압기, 다이오드, 커패시터를 이용하여 브리지 방식의 정류회로를 구성하였고 오실로스코프로 교류 성분의 파형을 알아보았다. 2. 정류회로 설계 다이오드를 이용해 브리지 방식의 정류회로 형태의 DC Power supply를 구성하였다. Function generator의 Amplitude를 5 V, Frequency를 10 ㎑의 입력신호를 회로에 공급하였고...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Offset Voltage OP-Amp의 입력단자를 접지시키면 이상적인 경우 출력전압은 0V가 되어야 하지만, 실제 OP-Amp에는 Offset Voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아니다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 Open Loop Gain을 이용하는 것이 부정확하므로, 실제 회로를 구성하여 출력전압을 측정하고 이를 이용하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 사용한다. Offset Voltage 데이터시트에는 최소값이 없는 이유는 Offset Voltage가 작을수록 좋기 때문이며, 일...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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