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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.04.301. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하여 릴레이 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. BJT 2N3904를 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, BJT가 포화 영역에서 동작하도록 회로 파라미터를 설정하는 방법을 설명합니다. 또한 MOSFET 2N7000을 이용한 LED 구동 회로를 설계하고, MOSFET의 트라이오드 영역에서의 동작 특성을 활용하여 ...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.04.301. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계실습 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. 이를 위해 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험합니다. Series-Shunt 피드백 증폭기는 입력이 전압이고 출력도 전압인 구조이며, 입력 저항, 부하 저항, 전원 전압 변화에도 gain을 일정하게 유지할 수 있어 voltage regulator로 활용할 수 있습니다. 2. Series-Seri...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.101. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200 mV였고, 10K 저항을 연결한 후 측정한 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 때 Function generator의 출력을 100 mV로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 2 KHz의 센서 출력을 증폭하여 출력이 1 V인 Inverting Amplifier를 설계하였다....2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Voltage Regulator 설계2025.05.101. 전자회로 설계 및 실습 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 5 K의 부하에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이며, ripple이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터의 크기를 설계하는 과정을 설명하고 있습니다. 또한 PSPICE를 사용하여 회로를 구현하고 분석한 결과도 제시하고 있습니다. 1. 전자회로 설계 및 실습 전자회로 설계 및 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 전자회로 설계는 전자 기...2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. DC Power Supply DC Power Supply는 직류전압을 공급하는 회로를 만들 때 중요한 계측기이다. 따라서 DC Power supply를 이해하는 것이 중요하다. 변압기, 다이오드, 커패시터를 이용하여 브리지 방식의 정류회로를 구성하였고 오실로스코프로 교류 성분의 파형을 알아보았다. 2. 정류회로 설계 다이오드를 이용해 브리지 방식의 정류회로 형태의 DC Power supply를 구성하였다. Function generator의 Amplitude를 5 V, Frequency를 10 ㎑의 입력신호를 회로에 공급하였고...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Offset Voltage OP-Amp의 입력단자를 접지시키면 이상적인 경우 출력전압은 0V가 되어야 하지만, 실제 OP-Amp에는 Offset Voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아니다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 Open Loop Gain을 이용하는 것이 부정확하므로, 실제 회로를 구성하여 출력전압을 측정하고 이를 이용하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 사용한다. Offset Voltage 데이터시트에는 최소값이 없는 이유는 Offset Voltage가 작을수록 좋기 때문이며, 일...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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