총 149개
-
전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
-
전자공학실험 23장 연산 증폭기 응용 회로 1 A+ 결과보고서2025.01.151. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전원 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1에서 R1=10kΩ, R2=20kΩ일 때 입력 파형과 출력 파형을 측정하고, 전압 이득을 계산하였다. 전압 이득은 약 2[V/V]로 이상적인 반전 증폭기의 전압 이득과 동일함을 확인하였다. 또한 R1=10kΩ, R2=...2025.01.15
-
능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
-
실험 22_연산 증폭기 특성 결과보고서2025.04.281. 연산 증폭기의 전압 이득 실험을 통해 연산 증폭기의 전압 이득을 측정하였다. 입력 전압의 크기가 증가함에 따라 출력 전압의 크기도 증가하는 모습을 보였다. 이를 통해 연산 증폭기의 전압 이득 특성을 확인할 수 있었다. 2. 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨 실험을 통해 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨을 측정하였다. 입력 전압의 크기가 증가함에 따라 출력 전압의 크기도 증가하는 모습을 보였다. 이를 통해 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨 특성을 확인할 수 있었다. 3. 연산 증폭기의 공통 모드 전압 이득 실험을...2025.04.28
-
응용물리회로실험 - Transistor CE2025.05.071. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 교류신호에 대하여 이미터 단자가 입력과 출력의 공통 단자 역할을 하며, 높은 전압이득 및 전류 이득을 갖게 된다. 입력과 출력에 결합 커패시터와 이미터와 접지 사이의 바이패스 커패시터로 구성되어 있다. 교류 입력신호는 베이스 단자에 결합 커패시터를 통해 연결되고, 출력신호는 컬렉터 측의 결합 커패시터를 통해 부하와 연결된다. 바이패스 커패시터는 교류입력의 동작 주파수에서 매우 작은 용량성 리액턴스 값을 갖도록 설정되어 이미터 단자를 접지시킨다. 1. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭...2025.05.07
-
홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
-
서강대학교 고급전자회로실험 2주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전력증폭기 이번 실험에서는 전력증폭기 회로를 구성하고 분석하였다. 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였고, 실험회로 2에서는 푸시풀 증폭기를 구현하였다. 실험회로 3에서는 반전증폭기와 푸시풀 증폭기를 연결한 2단 전력증폭기를 구현하였다. 각 회로의 동작 원리와 특성을 분석하고, 시뮬레이션 및 실험 결과를 비교하였다. 또한 설계 과제를 통해 원하는 특성의 전력증폭기를 직접 설계하고 구현하였다. 2. 반전증폭기 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였다. 반전증폭기는 입력 신호의 전압을 ...2025.01.21
-
실험 22_연산 증폭기 특성 예비보고서2025.04.281. 연산 증폭기의 특성 이 실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 파라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 2. 연산 증폭기의 이득과 대역폭 연산 증폭기를 이용해서 피드백 회로를 구성하면 이득과 대역폭 사이에는 상충 관계가 성립한다. 연산 증폭기 자체의 3dB주파수를 f_1 이라고 할 때, 피드백 회로를 구성하면 (1+R_2/(R_1+R_2)A_0)f_1으로 3dB 주파...2025.04.28
-
[일반물리실험2] A+ 전자기 유도와 변압기 (결과레포트)2025.01.031. 전자기 유도와 변압기 실험을 통해 패러데이 법칙에 의한 전자기유도와 변압의 원리를 이해하고자 하였다. 변압기 장치를 사용하여 코어 구조와 코일 감은 수 변화에 따른 출력 전압 및 전압/전력 이득 변화를 측정하였다. 실험 결과 U자 형 철심에 가로대가 추가로 놓였을 때 출력 전압이 최대로 나타났으며, 두 번째 코일의 감은 수가 증가할수록 출력 전압도 증가하였다. 또한 동일한 감은 수에서 저항 값이 작을수록 전력 이득이 커짐을 확인하였다. 이를 통해 변압기의 구조와 코일 감은 수가 전자기 유도 및 변압 효율에 미치는 영향을 이해할...2025.01.03
-
MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
3 / 15
