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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성2025.01.141. 콜렉터 공통 증폭기 콜렉터 공통 증폭기(common-collector amplifier)는 입력 신호가 베이스에 가해지고 출력 신호는 이미터에서 얻어집니다. 이 증폭기는 전압 이득이 거의 1에 가깝지만 전류 및 전력 이득은 1보다 큰 값을 가집니다. 또한 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 합니다. 이번 실험에서는 오실로스코프를 통해 전압만을 측정했으므로 전압 이득을 구할 수 있었습니다. 2. 다단 증폭기 다단 증폭기(Cascaded Amplifier)는 여러 개의 증폭기 단을 직렬로 연결하여 높은 전압 이득,...2025.01.14
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 22 연산 증폭기 특성)2025.01.291. 연산 증폭기 특성 이번 실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 파라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 2. 연산 증폭기의 이상적인 특성 op-amp의 이상적인 조건에서는 입력 임피던스가 무한대이므로 입력 단자로 전류가 흐르지 않고, 출력 저항이 0이어서 출력 전압이 외부 부하에 영향을 받지 않는다. 또한 op-amp의 이득이 매우 크므로 입력 전압 차이가 아주 작아...2025.01.29
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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OP-AMP를 이용한 기본 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. OP-AMP의 정의와 특성 OP-AMP는 덧셈, 적분 등의 연산 기능을 갖는 고이득 직류 증폭기입니다. 이상적인 OP-AMP는 무한대의 전압 이득, 입력 저항, 주파수 대역폭을 가지며 오프셋 전압과 전류가 0입니다. 실제 OP-AMP는 이상적인 특성과 차이가 있지만 여전히 높은 전압 이득, 입력 저항, 넓은 주파수 대역폭을 가집니다. 2. 가상 접지 이상적인 OP-AMP에서는 입력 저항이 무한대이므로 입력단자 간 전압차가 0이 됩니다. 이를 가상 접지라고 하며, 이 개념은 OP-AMP 회로 해석에 중요한 역할을 합니다. 3. ...2025.01.05
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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