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전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. 바이어스 회로 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭...2025.01.13
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실험 12 . B급 전력 증폭기 회로실험2025.05.111. B급 증폭기의 특성 B급 동작 트랜지스터의 특성은 컬렉터 전류가 오직 교류 사이클 중에서 180° 동안만 흐른다는 것을 의미한다. B급 동작의 이점은 트랜지스터의 전력소비를 낮추고, 전력유출을 감소시키는데 있다. 푸시-풀 회로를 사용하면 낮은 왜곡, 큰 부하전력, 높은 효율을 갖게 된다. 2. 교차왜곡(crossover distortion) B급 푸시-풀 이미터 활로워에서 입력되는 교류전압이 전위장벽을 극복할 수 있는 0.7V까지 증가해야 하므로, 반주기동안에 클리핑이 생기게 되어 신호가 왜곡된다. 이러한 크로스오버 왜곡을 제...2025.05.11
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.01.121. BJT 바이어스 회로 이번 실험에서는 BJT의 고정 바이어스 회로와 전압 분배기 바이어스 회로를 구성하여 각 소자에 걸리는 전압을 측정하고 전류의 관계를 확인하였다. 고정 바이어스 회로에서는 트랜지스터를 바꾸어가며 측정했을 때 V_C와 I_C에 큰 차이가 발생했지만, 전압 분배기 바이어스 회로에서는 대부분의 값이 일정하게 유지되었다. 이를 통해 전압 분배기 바이어스 회로가 고정 바이어스 회로에 비해 더 안정적인 회로라는 것을 알 수 있었다. 2. 트랜지스터 특성 측정 실험에서는 트랜지스터의 β 값을 측정하고 이론값과 비교하였다...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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