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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 22 연산 증폭기 특성)2025.01.291. 연산 증폭기 특성 이번 실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 파라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 2. 연산 증폭기의 이상적인 특성 op-amp의 이상적인 조건에서는 입력 임피던스가 무한대이므로 입력 단자로 전류가 흐르지 않고, 출력 저항이 0이어서 출력 전압이 외부 부하에 영향을 받지 않는다. 또한 op-amp의 이득이 매우 크므로 입력 전압 차이가 아주 작아...2025.01.29
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.101. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200 mV였고, 10K 저항을 연결한 후 측정한 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 때 Function generator의 출력을 100 mV로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 2 KHz의 센서 출력을 증폭하여 출력이 1 V인 Inverting Amplifier를 설계하였다....2025.05.10
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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실험 02_정류회로 예비 보고서2025.04.271. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 회로입니다. 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류회로 등 다양한 정류회로 구조가 있으며, 각각의 동작 원리와 입출력 특성이 다릅니다. 반파 정류회로는 한 주기 중 반 주기 동안만 정류 동작을 하지만, 전파 정류회로와 브리지 정류회로는 전 주기에 걸쳐 정류 동작을 합니다. 또한 필터 커패시터를 추가하면 리플이 감소하는 피크 정류회로를 구현할 수 있습니다. PSpice 시뮬레이션을 통해 각 정류회로의 입출력 파형을 확인할 수 있습니다. 1. 정류회로 정류회로는 ...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 18 RC 및 RL 병렬회로 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RC 병렬회로 RC 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 커패시터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 커패시터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 커패시터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으며, 옴의 법칙을 이용하여 임피던스를 계산할 수 있다. 2. RL 병렬회로 RL 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 인덕터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 인덕터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 인덕터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으...2025.04.28
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전자회로설계실습 6차 예비보고서2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(vo/vin)이 –100 V/V이며 emitter 저항 사용한 Commom Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier에서 Rsig = 50 ...2025.05.10
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