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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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연산증폭기의 특성 예비보고서2025.01.061. 슬루율 슬루율은 계단 파형 전압이 인가되었을 때 출력전압의 시간에 따른 최대변화율을 나타내는 지표입니다. 슬루율이 높을수록 증폭기의 주파수 응답이 좋습니다. 실험에서는 PSPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 uA741 연산증폭기의 슬루율을 측정하고, 데이터시트 값과 비교하였습니다. 2. 공통모드 제거비 공통모드 제거비(CMRR)는 연산증폭기 회로 설계에서 중요한 지표입니다. 입력단자에 같은 신호가 인가되는 공통모드 상황에서 증폭기의 출력전압이 0이 되어야 하지만, 실제로는 완벽하지 않기 때문에 공통모드 이득이 발생합니다. CMR...2025.01.06
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+5주차 결과보고서2025.01.031. Passive LPF Design 이번 실험에서는 Passive LPF 회로를 구현하였다. 이론적으로 4kHz의 cut off frequency를 만족하는 커패시터와 인덕터 값을 계산하였고, 실제 실험에서는 유사한 소자를 직/병렬로 연결하여 구현하였다. 실험 결과, cut off frequency가 4kHz로 나타났지만 이론값과 7.24%의 오차가 있었다. 이는 실제 소자 값의 차이와 노이즈 등의 영향으로 인한 것으로 분석된다. 2. Active BRF Design 다음으로 Active BRF 회로를 구현하였다. 이론적으로 6...2025.01.03
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.011. 센서의 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하였을 때 200 [mVpp]로 측정되었고, 센서의 부하로 10 [kΩ] 저항을 연결한 후 10 [kΩ] 저항에 걸리는 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 100 [mVpp]로 측정되었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로의 Vth는 200 [mVpp], Rth는 10 [kΩ]임을 알 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 Thevenin 등가회로를 (-) 입력단자에 연결하고, 출력단자와 (-) 입력단...2025.05.01
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[A+] Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.161. 센서 측정 및 등가회로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출한다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 설명한다. 2. Inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Inverting Amplifier를 사용하여 증폭하는 방법을 설명한다. 3. Non-inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Non-inverting Ampli...2025.05.16
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