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실험 21_차동 증폭기 심화 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 차동 증폭기는 공통 모드 제거비(CMRR)가 중요한 특성이며, 이를 위해 부하 저항과 트랜지스터의 매칭이 중요하다. 능동 부하를 사용하면 저항 부하에 비해 공정 변화에 강하고 추가 비용이 들지 않는 장점이 있다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 공통 모드 제거비(CMRR)는 차동 증폭기의 중요한 특성으로, 차동 입력과 공통 모드 입력에 대한 이득 비율을 나타낸다. CMRR...2025.04.28
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실험 05_BJT 바이어스 회로 결과보고서2025.04.281. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 보고 1. 실험회로 1에서 V_BB 값이 4V, R_BB 저항값이 2kΩ, R_C는 v_o의 DC 값이 8V가 되도록 하는 저항값으로 둔다...2025.04.28
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) 설계 및 실험2025.05.141. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 부하저항 값을 변경하여 특성 곡선을 비교 분석하였고, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 변화도 확인하였습니다. 출력 전압이 일정 전압 이상에서 더 이상 변하지 않는 이유를 설명하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 피드백 저항 값을...2025.05.14
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중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.04.291. RLC 직렬회로의 공진주파수 및 진동주파수 계산 RLC 직렬회로에서 공진주파수(ωo)와 진동주파수(ωd)를 계산하는 방법을 설명하였습니다. R = 500 Ω, L = 10 mH, C = 0.01 μF인 경우 ωo = 15915 Hz, ωd = 15914 Hz로 계산되었습니다. 2. RLC 회로의 과도응답 시뮬레이션 RLC 직렬회로에 0 ~ 1 V, 1 kHz, 듀티 사이클 50%의 사각파 입력을 인가했을 때의 과도응답을 PSpice 시뮬레이션으로 확인하였습니다. 부족감쇠(under-damped) 응답이 나타났습니다. 3. RL...2025.04.29
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중앙대 Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.05.051. Gain Gain은 출력이 입력과 닮은꼴 일 때만 의미가 있다. 그러나 입력전압이 10 mVpp인 경우 출력파형이 왜곡(distortion) 되므로 gain의 의미가 없어진다. 2. 입력신호 크기 감소 입력신호의 크기를 줄이기 위하여 단자와 접지 사이에 50 Ω보다 작은 저항을 연결한 회로에 대하여 전압 이득이 95% 이상이 되도록 저항을 PSPICE로 구한다. 이 저항과 function generator 출력저항 50 Ω은 voltage divider가 되어 증폭기의 입력전압이 낮아지므로 overall voltage gain...2025.05.05
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.011. 센서의 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하였을 때 200 [mVpp]로 측정되었고, 센서의 부하로 10 [kΩ] 저항을 연결한 후 10 [kΩ] 저항에 걸리는 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 100 [mVpp]로 측정되었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로의 Vth는 200 [mVpp], Rth는 10 [kΩ]임을 알 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 Thevenin 등가회로를 (-) 입력단자에 연결하고, 출력단자와 (-) 입력단...2025.05.01
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Common Emitter Amp2025.05.021. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 증폭기의 입력전압 감소를 위한 저항 설계, PSPICE를 이용한 회로 시뮬레이션, 출력파형 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합...2025.05.02
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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