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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.301. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 두 입력단자에 ground를 연결하고 출력파형을 관찰하였고 Offset Voltage가 증폭되어 나온 출력 -12.5V를 확인했다. Op Amp에 공급하는 전압 이상으로 증폭할 수 없으므로 출력이 Saturation되는 결과가 나타났다. 2. Integrator 설계 R = =1 kΩ, C = 0.47 F의 Integrator를 설계하고, input pulse로 2V, 250Hz의 사각파를 인가하고 2ms 뒤의 출력파형을 관찰하였다. PSPICE 시뮬레이션 결과와는 출력전압의 크기에서 차...2025.04.30
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 이번 실험에서는 테브난의 정리를 확인하기 위해 기본 회로와 테브난 등가회로를 구성하고 측정한 결과를 비교하였다. 기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압과 테브난 등가회로의 전압이 거의 비슷하였고, 부하저항에 흐르는 전류도 약간의 오차가 있지만 매우 유사하였다. 따라서 테브난의 정리를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 이번 실험을 통해 브레드보드를 이용한 회로 구성과 측정 방법에 대한 자신감도 얻게 되었다. 1. 테브난의 정리 테브난의 정리는 수학 분야에서 매우 중요한 정리입니다. 이 정리는 복소수 평면에서 해석 함수의...2025.04.28
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전자회로설계실습 2차 예비보고서2025.05.101. OP Amp의 Offset Voltage 측정 OP Amp의 Offset Voltage를 측정하기 위해 Gain이 100 (V/V)와 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 두 입력단자를 접지하여 출력전압을 측정한다. 이를 통해 Offset Voltage를 계산할 수 있다. Offset Voltage를 최소화하기 위해 Offset-nulling 단자에 가변저항을 연결하여 조정할 수 있다. 2. OP Amp의 Slew Rate 측정 OP Amp의 Slew Rate를 측정하기 위해 Voltage...2025.05.10
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 10주차2025.05.041. RC 회로 RC 회로에서는 주파수가 커질수록 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 캐패시터의 임피던스가 낮아져 전압이 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 2. RL 회로 RL 회로에서는 주파수가 커질수록 회로에 흐르는 전류의 절대값이 작아졌다. 이는 인덕터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 인덕터의 임피던스가 높아져 전류가 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서는 공진주파수를 기점으로 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터와 인덕터의 임피던스가 서로 상쇄되어 전압이 증폭되다가 공...2025.05.04
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전자회로설계실습 1번 예비보고서2025.01.201. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 이 보고서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하는 Inverting, Non-Inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 증폭기 회로를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 수행하였습니다. 또한 실제 측정을 통해 증폭기의 특성을 분석하고 비교하였습니다. 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 Op Amp(Operational Ampli...2025.01.20
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전자회로설계실습 2번 예비보고서2025.01.201. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 이상적인 Op Amp를 가정할 경우 출력전압은 0V가 되지만 실제 Op Amp의 경우에는 Op Amp 내부에 Offset voltage가 존재하므로 출력전압이 0V가 아니다. Offset voltage를 측정하기 위해 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하여 offset voltage를 구한다. Slew rat...2025.01.20
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하여 주파수 응답 특성을 나타내는 보드 선도를 그리고, 3dB 주파수와 이득 대역폭 곱을 계산한다. 또한 이득 대역폭 곱을 증가시키는 방안을 제시한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 동작을 설명하기 위해 게이트-소스 커패시턴스(Cgs)와 게이트-드레인 커패시턴스(Cgd...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 8. 래치와 플립플롭 A+2025.01.291. RS 래치 RS 래치의 특성을 분석하였습니다. NAND RS 래치와 NOR RS 래치의 진리표를 나타내고, 이론적인 상태도를 그렸습니다. PSPICE를 활용하여 진리표의 결과를 확인하였습니다. 1. RS 래치 RS 래치는 디지털 회로에서 널리 사용되는 기본적인 메모리 소자입니다. 이 소자는 두 개의 NOR 게이트로 구성되어 있으며, 하나의 입력이 1일 때 다른 입력이 0이 되면 출력이 반전되는 특성을 가지고 있습니다. 이를 통해 상태를 저장하고 유지할 수 있습니다. RS 래치는 간단한 구조와 동작 원리로 인해 플립플롭, 카운터...2025.01.29
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