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서강대학교 22년도 전자회로실험 12주차 결과레포트2025.01.131. 주파수 응답 실험을 통해 주파수 응답 특성을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하였고, 실제 회로 구성을 통해 측정한 결과와 비교하였다. 저주파 대역 차단 주파수와 고주파 대역 차단 주파수를 측정하고 이론값과 비교하였으며, 오차 발생 원인을 분석하였다. 2. 능동 필터 샐런키 필터 회로를 PSPICE와 브레드보드로 구성하여 실험하였다. 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하고, 통과 대역 이득과 고주파 대역 차단 주파수를 측정하여 이론값과 비교...2025.01.13
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+5주차 예비보고서2025.01.071. 필터의 종류와 특성 이 보고서에서는 필터의 종류와 특성을 이해하고, Pspice를 통해 필터의 주파수 응답을 확인하며, 실제 사용되는 특성의 필터를 설계하는 것을 목표로 합니다. 필터는 Passive Filter와 Active Filter로 나뉘며, 주파수 특성에 따라 LPF, HPF, BPF, BRF 등으로 분류됩니다. 필터의 특성을 이해하기 위해서는 주파수 영역에서의 전달함수 분석이 핵심이며, Cut off frequency, Bandwidth, Center frequency, Q-factor 등의 개념을 살펴봅니다. 2....2025.01.07
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전자회로실험: 정류 회로2025.01.091. 반파 정류회로 반파 정류회로는 다이오드 내부 저항과 부하 저항의 관계를 이용하여 교류 전압을 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하보다 크면 출력이 생성되고, 작으면 출력이 0이 됩니다. 이를 통해 양의 주기만 통과시켜 양의 파형을 얻을 수 있습니다. 반파 정류회로의 입출력 전압 관계식과 전압 전달 특성 곡선을 통해 이를 확인할 수 있습니다. 2. 브리지 정류회로 브리지 정류회로는 트랜스포머와 4개의 다이오드를 이용하여 양의 전압과 음의 전압을 모두 양의 전압으로 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하...2025.01.09
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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