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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 6. 위상 제어 루프(PLL)2025.04.291. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어 루프는 위상 검출기(Phase Detector), 루프 필터(Loop Filter), 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator)로 이루어져 있습니다. 전압 제어 발전기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 두 입력의 위상 차이를 가지고 전압 제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템입니다. 위상 제어 루프는 위상을 조절할 수 있다는 특징이 있으므로 주로 통신 분야에서 사용됩니다. 2. 위상 검출기 위상 검출기(Phase Detector)는 발진기의 입력과 출력 ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.301. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 두 입력단자에 ground를 연결하고 출력파형을 관찰하였고 Offset Voltage가 증폭되어 나온 출력 -12.5V를 확인했다. Op Amp에 공급하는 전압 이상으로 증폭할 수 없으므로 출력이 Saturation되는 결과가 나타났다. 2. Integrator 설계 R = =1 kΩ, C = 0.47 F의 Integrator를 설계하고, input pulse로 2V, 250Hz의 사각파를 인가하고 2ms 뒤의 출력파형을 관찰하였다. PSPICE 시뮬레이션 결과와는 출력전압의 크기에서 차...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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Op Amp의 특성측정 방법 및 integrator 설계2025.01.211. Offset Voltage 측정 Op Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하고 있습니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 두 입력단자를 접지했을 때의 출력전압을 측정하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 제시하고 있습니다. 또한 Op Amp의 Datasheet에서 Offset Voltage의 min, typ, max 값의 의미와 실제 Offset Voltage의 크기에 대해 추정하고 있습니다. 2. Offset Voltage 조정 Op Amp의 ...2025.01.21
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[기초전자실험 with pspice] 01 저항 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 저항 실험 실험에 사용한 장비 및 부품은 파워 서플라이, 멀티미터, 고정 저항 6개(1KΩ, 4.7KΩ, 15KΩ, 33KΩ, 100KΩ, 470KΩ), 가변 저항 1개(3KΩ)였다. 고정 저항의 저항값을 측정한 결과, 이론적인 1%의 오차 범위를 넘는 저항들이 있었다. 이는 저항 제조 과정에서 발생한 손상으로 인한 것으로 추정된다. 가변 저항 측정 실험에서도 오차가 발생했는데, 이는 멀티미터의 오차와 측정 시 손이 프로브에 닿은 것이 원인으로 보인다. 실험을 통해 저항의 컬러코드 읽는 법을 익힐 수 있었다. 1. 저항 실험 ...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 인덕터 인덕터의 종류와 특성을 배우고, 인덕터의 직렬 및 병렬연결 특성을 실험할 수 있다. 또한, 주파수 및 인덕터 용량에 따른 유도성 리액턴스의 변화를 실험할 수 있다. 인덕터는 코일이라고도 하며, 구리선과 같은 도선을 나선 모양으로 감아서 만든다. 코일에 교류전류가 흐르면 자계가 생기며 자계는 전류의 변화에 비례한다. 자계에 의해 전류 흐름을 방해하는 유도전압이 생기며, 이 유도전압은 전류 흐름을 방해하므로 '역기전력'이라고도 한다. 즉, 인덕터는 자계 및 유도전압의 형태로 에너지를 저장하는 소자로 볼 수 있다. 인덕터가 ...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 이번 실험에서는 테브난의 정리를 확인하기 위해 기본 회로와 테브난 등가회로를 구성하고 측정한 결과를 비교하였다. 기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압과 테브난 등가회로의 전압이 거의 비슷하였고, 부하저항에 흐르는 전류도 약간의 오차가 있지만 매우 유사하였다. 따라서 테브난의 정리를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 이번 실험을 통해 브레드보드를 이용한 회로 구성과 측정 방법에 대한 자신감도 얻게 되었다. 1. 테브난의 정리 테브난의 정리는 수학 분야에서 매우 중요한 정리입니다. 이 정리는 복소수 평면에서 해석 함수의...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 10 중첩의 원리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 중첩의 원리 실험 시 사용했던 장비 & 부품으로는 디지털 멀티미터, 전원 공급기, 브레드보드, 저항 270[Ω], 330[Ω], 470[Ω]이 있었다. 실험 결과 및 사진을 보면 실제 전압과 전류 측정값이 계산값과 유사한 것을 확인할 수 있다. 실험 회로에서 V1에 의한 전압/전류 측정값과 V2에 의한 전압/전류 측정값을 더하면 실제 전압/전류 측정값과 매우 비슷한 것을 알 수 있다. 즉, 직류전원 V1과 V2를 기준으로 키르히호프의 전압법칙과 전류법칙이 성립한다. 다만 약간의 오차가 있었는데, 이는 계산 과정에서 실수가 있었...2025.04.28
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[A+] 전자회로설계실습 3차 예비보고서2025.05.101. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 설계 시 부하저항 5 kΩ에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이고 리플 전압이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력전원의 크기와 커패시터의 크기를 계산하였습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 설계 결과를 검증하였습니다. 1. 전파정류회로 전파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 전자 회로입니다. 이 회로는 전력 공급 장치, 전...2025.05.10
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