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[A+] 전자회로설계실습 10차 예비보고서2025.05.101. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 회로를 설계하고 시뮬레이션을 수행하였으며, 피드백 factor (β)와 피드백 저항 (R)의 변화에 따른 영향을 분석하였습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)...2025.05.10
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[기초전자실험 with pspice] 04 옴의법칙 결과보고서 <학점 A+ 받음>2025.04.281. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 확인하고 전압과 전류의 관계, 저항에 따른 전류의 변화를 이해하였다. 실험 과정에서 전류 측정 방법에 대한 주의가 필요하다는 것을 깨달았다. 2. 전압-전류 관계 실험 결과에 따르면 전압이 증가할수록 전류가 증가하는 비례 관계를 확인할 수 있었다. 특히 3V에서 4.2193 mA, 9V에서 14.910 mA로 전압 3배 증가 시 전류도 약 3배 증가하는 것을 확인하였다. 3. 저항에 따른 전류 변화 저항값이 작을수록 전압 증가에 따른 전류 증가 폭이 크고, 저항값이 클수록 전류 증가 폭이 작...2025.04.28
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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경희대 전기전자회로 보고서 HW22025.05.051. DC 전압, 저항 회로 시뮬레이션 문제[1]에서는 DC 전압과 저항으로 구성된 간단한 회로를 시뮬레이션하고 전압, 전류, 소비전력을 계산하는 방법을 학습했습니다. Pspice를 처음 사용해보면서 회로 구성 및 기본적인 사용법을 익혔고, 복잡한 회로 해석에도 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 2. DC Sweep 분석 문제[2]에서는 전원 전압을 변수로 설정하여 DC Sweep 분석을 수행했습니다. 이를 통해 전압, 전류, 소비전력이 전원 전압 변화에 따라 어떻게 변화하는지 확인할 수 있었습니다. 또한 Point...2025.05.05
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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[기초전자실험 with pspice] 10 중첩의 원리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 중첩의 원리 중첩의 원리를 적용하는 방법을 익히고, 중첩의 원리를 실험으로 확인한다. 중첩의 원리는 '전원이 2개 이상인 선형회로에서 어떤 부품의 전압과 전류는 전원을 1 개씩 동작시킬 때 나타나는 전압 및 전류의 합이다'로 정의된다. 전원을 1개씩 동작시킨다는 것은 하나의 전원을 동작시킬 때 다른 전원은 제거하는 것이다. 전원이 2개인 회로에 중첩의 원리를 적용하는 방법은 각 전원에 따른 전류와 전압을 구한 후 더하여 실질적인 전류와 전압을 구하는 것이다. 2. 기본 회로 실험 실험 회로를 구성하고 직류전원을 인가한 후 각 ...2025.04.28
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중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 - OP amp 이용한 다양한 Amp2025.05.021. 센서 측정 및 등가회로 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파인 어떤 센서의 출력전압을 오실로스코프(입력임피던스 = 1MΩ)로 직접 측정하였더니 peak to peak 전압이 200mV이고 센서의 부하로 10kΩ 저항을 연결한 후 10kΩ 저항에 걸리는 전압을 역시 오실로스코프로 측정하였더니 peak to peak 전압이 100mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function Generator의 출력을 2kHz, 100mV, Offset=0으로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplif...2025.05.02
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 (결과) - 래치와 플립플롭2025.01.291. RS 래치 PSPICE를 사용하여 RS 래치 회로를 구현하고 동작을 확인했습니다. Clk=1일 때 S, R 입력에 따라 Q, Q'의 출력이 변화하는 것을 관찰했고, Clk=0일 때는 이전 Clk=1 상태가 유지되는 것을 확인했습니다. 실험 결과는 이론적인 동작과 일치했습니다. 2. RS 플립플롭 RS 래치 회로에 TTL 7400, 7404 소자를 추가하여 RS 플립플롭을 구현하려 했습니다. 하지만 전체 회로를 연결했을 때는 정상 동작하지 않았습니다. 다만 RS 래치 부분과 그 이전 회로 부분은 각각 정상 동작했기 때문에 회로 ...2025.01.29
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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