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전자회로설계실습 실습 9 결과보고서2025.01.041. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력 저항과 부하 저항값에 변화를 주며 출력전압의 변화를 관찰하였다. 출력전압의 측정값이나 gain에 큰 차이가 없었다. 전원 전압을 12V에서 8V로 하강시키고 입력전압을 증가시키며 측정값의 변화를 관찰하였다. 8V로 하강시키자 일정 입력전압 이상에서 gain을 유지하지 못하고 출력전압이 전원 전압을 넘지 못하는 것을 관찰할 수 있었다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 Rf에 변화를 주며 LED에...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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MOSFET 결과보고서2025.01.051. 모스펫 벅 초퍼 모스펫 벅 초퍼의 동작을 이해하고 시동시켜보았습니다. 실험 결과 듀티 사이클에 따른 출력전압 변화, 스위칭 제어신호 주파수의 효과, 출력전력 대 입력전력을 측정하였습니다. 벅 초퍼의 출력전압은 듀티 사이클에 비례하여 증가하며, 주파수 변화에는 영향을 받지 않았습니다. 전력 효율은 약 80.7%로 높은 편이었습니다. 2. 모스펫 부스트 초퍼 모스펫 부스트 초퍼의 동작을 이해하고 시동시켜보았습니다. 실험 결과 듀티 사이클에 따른 출력전압 변화, 스위칭 제어신호 주파수의 효과, 출력전력 대 입력전력을 측정하였습니다....2025.01.05
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하였습니다. 주요 결과는 다음과 같습니다. 70Hz~55kHz 범위에서 전압 이득은 8.8V/V로 측정되었고, 17Hz와 77kHz에서 전압 이득이 감소하는 것을 확인하였습니다. 1MHz까지는 전압 이득 측정이 잘 되었지만 10MHz를 초과하는 영역과 50Hz 미만의 영역에서는 측정이 어려웠습니다. 이는 MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하는 것으로 추정됩니다. 이득 대역폭 곱은 큰 폭의 변화 없이 거의 일정한 것...2025.01.02
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전자회로설계실습 실습 8 결과보고서2025.01.041. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 본 실습에서는 그림 1의 회로를 breadboard에 구현하고, 전원 공급 장치를 연결하여 MOSFET M1과 M2의 VGS, VDS를 측정하였습니다. 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 기준 전류 IREF와 출력 전류 IO를 계산하였습니다. 대부분의 측정값이 일정 오차 범위 내에서 정상적으로 출력되었지만, 일부 차이가 발생한 이유에 대해서는 추가적인 분석이 필요할 것으로 보입니다. 1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror는 전자 회로에...2025.01.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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