총 27개
-
전자공학실험 17장 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 소오스 증폭기(common source amplifier) 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 소신호 등가회로 공통 소오스 증폭기 회로의 저주파 대역에서의 전압 이득을 구하기 위해 소신호 등가회로를 그리면 전압 이득은 A_{V0} =-g_...2025.01.13
-
[전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험14 캐스코드 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 일반 소스 증폭기에 비해 더 큰 전압 이득과 더 높은 전력 저항을 가지는 장점이 있습니다. 하지만 두 개의 MOSFET을 사용해야 하므로 둘 다 바이어스를 해야 하는 단점이 있습니다. 따라서 전압 공급의 제한이 낮아집니다. 캐스코드 증폭기의 출력 저항은 M1 트랜지스터 자체의 출력 저항 ro1에 gm2ro2가 추가되어 증가합니다. PSpice에서는 VDD를 12V로 적용했지만 실험에서는 7V로 적용했고, RL 값도 PSpice에서는 10kΩ, 실험에서는 69.91kΩ으로 달랐기 때문에 전압 이...2025.01.29
-
전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
-
[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Active Filter2025.01.151. 이상적 OP Amp OP amp는 연산 증폭기라고도 하며, 트랜지스터들로 구성된 차동 선형 증폭기입니다. OP amp는 적분, 가산, 미분과 같은 수학적인 연산을 회로에 적용할 수 있으며, 생활속에서는 오디오 증폭기, 비디오 등에 많이 사용되고 있습니다. 이상적인 OP amp의 특성은 전압 이득이 무한대이고, 입력 저항이 무한대, 출력 저항이 0입니다. 2. 실제(real) OP Amp 실제로 실험에서 사용하는 OP amp의 특성과 이상적인 OPamp의 특성은 다른 부분이 있지만, 비슷한 특성을 가지고 있습니다. 실제 OP a...2025.01.15
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
-
전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
-
[물리화학실험A+] Input & Output Impedence(입력저항,출력저항 구하기) 결과보고서2025.01.171. 전압 측정 이번 실험은 물리량의 측정의 기본이 되는 전압 측정에 대해 알아보고 oscilloscope, DVM 이라는 전압 측정기를 이용하여 입력 저항 및 출력 저항을 구해보는 것이다. 전원은 E0의 전압을 발생시키는 전원에 저항이 직렬로 연결되어 2개의 단자가 연결된 형태이다. 전원 내부에 있는 저항을 출력저항이라고 하며 출력저항이 크면 전압측정의 정확성이 떨어진다. 전압계는 전원의 두 단자에 접촉되는 두 단자를 가진 장치이다. 전압계 내부에 있는 저항을 입력저항이라하며 입력저항에 발생한 전압을 측정하는 부분이 병렬로 연결되...2025.01.17
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
-
다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
-
이미터 공통 증폭기 결과보고서2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이번 실험에서는 이미터 접지 증폭기에서의 이미터, 베이스, 콜렉터 전압을 측정하고 이를 이용하여 트랜지스터에서 흐르는 전류의 값과 β, gm, rpi의 값을 계산할 수 있었다. 또한 입력과 출력 전압을 측정하여 입력과 출력 저항의 값을 계산할 수 있었다. 이러한 과정을 통하여 이미터 접지 증폭기의 입력 저항과 출력 저항의 개념을 잘 이해하게 된 것 같다. 출력 파형의 왜곡 현상을 관찰하여 회로가 포화상태에 도달하였는지, 차단 상태에 도달하였는지에 대하여 알아볼 수 있었다. 이번 실험에서는 그래프의 윗부분이 ...2025.01.02
2 / 3
