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[전자공학응용실험] MOSFET 다단 증폭기 예비레포트2025.04.261. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 실험에서는 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워 증폭기를 연결한 2단 증폭기와 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기를 구현하고 특성을 분석한다. 임피던스 매칭이 중요하며, 부하 저항이 작은 경우 출력 임피던스가 작은 소오스 팔로워를 사용하는 것이 유...2025.04.26
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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전자공학실험2 15장 예비레포트2025.05.071. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다. JFET 소스 공통 교류증폭기와 MOSFET 소스 공통 교류증폭기의 동작 원리와 해석 방법을 설명하고, 시뮬레이션을 통해 바이패스 캐패시터와 부하저항 변화에 따른 출력전압의 변화를 확인한다. 1. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기는 전자회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. ...2025.05.07
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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대이다. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 매우 작으며, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스를 측정하...2025.01.13
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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전자회로설계실습 실습 11 결과보고서2025.01.041. Push-Pull 증폭기 본 설계 실습에서는 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover Distortion 현상을 파악하고 이를 amplifier을 이용하여 제거하는 실험을 하였다. 실험결과 4.1에서 구성한 Push-Pull amplifier에서는 dead zone이 BJT 구동 전압인 |Vbe|보다 작아 발생하지 않았음을 확인하였다. 2. 오실로스코프 활용 실습3.1에서 시뮬레이션으로 입·출력 transfer characteristic curve을 쉽게 확인할 수 있지만, 실제 실험에서...2025.01.04
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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