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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서12025.01.201. High-Pass Filter 설계 설계실습 계획서1-3-1에서는 초전형 적외선 센서(RE200B)와 증폭기 사이에 신호를 전달하는 High-Pass Filter(DC-block, 3-dB freq.=5 Hz)를 R과 C를 이용하여 설계하는 내용이 다루어졌습니다. 주어진 C 값 10uF와 3dB 주파수 5Hz를 이용하여 R 값을 3.183kΩ으로 계산하였습니다. 2. 2-stage Op-amp 반전증폭기 설계 1-3-2에서는 적외선 센서의 출력신호를 증폭시키기 위해 2-stage Op-amp 반전증폭기를 설계하였습니다. 각 반...2025.01.20
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전자공학응용실험 ch18 증폭기의 주파수 응답특성 예비레포트 (pspice 및 이론, 예비보고사항 모두 포함)2025.05.031. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 이득 대역폭 곱의 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로 및 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하면 드레인 단자에서의 전류 방정식과 게이트 단자에서의 전압...2025.05.03
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증폭기의 주파수 특성2025.04.261. 이미터 접지 증폭 회로 이미터 접지 증폭 회로 실험을 통해 주파수 특성에 대해 알게 되었다. 실험 결과, 이론과 달리 실제 증폭기의 이득은 회로를 구성하는 결합 커패시터와 부하 커패시터, 그리고 트랜지스터 내부의 기생 정전용량 성분에 영향을 받는다. 또한 이득은 신호의 주파수에 따라 출력이 달라지며, 그 범위는 저주파, 중간주파, 고주파의 세 영역으로 주파수 범위에 따라 구분할 수 있다. 2. 주파수 특성 실험 이미터 접지 증폭기의 주파수 특성 실험을 통해 주파수 응답에 대해 알게 되었다. 주파수 응답은 진폭이 일정한 다양한 ...2025.04.26
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 예비보고서2025.05.091. Class Amplifier Class A 증폭기는 입력 신호의 전체 위상(0~360DEG)을 모두 증폭할 수 있으며, 왜곡 없이 증폭되므로 선형성이 매우 잘 유지된다. 하지만 DC 전력소모가 커서 전력 효율이 낮다. Class B 증폭기는 각 트랜지스터가 입력의 50% 위상(180DEG)만 증폭하며, DC current path가 없으므로 전력 효율이 좋다. 하지만 출력 파형의 왜곡이 심하다. Class AB 증폭기는 Class B 증폭기의 crossover distortion을 막기 위해 무신호 시에도 약간의 bias를 걸...2025.05.09
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전자회로설계실습 실습 11 결과보고서2025.01.041. Push-Pull 증폭기 본 설계 실습에서는 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover Distortion 현상을 파악하고 이를 amplifier을 이용하여 제거하는 실험을 하였다. 실험결과 4.1에서 구성한 Push-Pull amplifier에서는 dead zone이 BJT 구동 전압인 |Vbe|보다 작아 발생하지 않았음을 확인하였다. 2. 오실로스코프 활용 실습3.1에서 시뮬레이션으로 입·출력 transfer characteristic curve을 쉽게 확인할 수 있지만, 실제 실험에서...2025.01.04
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전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대이다. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 매우 작으며, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스를 측정하...2025.01.13
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계2025.04.301. Push-Pull Amplifier 특성 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계목적: RL=100Ω, Rbias=1kΩ, VCC=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 그림 1(a) 회로를 simulation 하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 simulation하여 입...2025.04.30
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중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 - OP amp 이용한 다양한 Amp2025.05.021. 센서 측정 및 등가회로 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파인 어떤 센서의 출력전압을 오실로스코프(입력임피던스 = 1MΩ)로 직접 측정하였더니 peak to peak 전압이 200mV이고 센서의 부하로 10kΩ 저항을 연결한 후 10kΩ 저항에 걸리는 전압을 역시 오실로스코프로 측정하였더니 peak to peak 전압이 100mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function Generator의 출력을 2kHz, 100mV, Offset=0으로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplif...2025.05.02
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